GaSb衬底上InAsSb材料的电学性能研究

采用分子束外延(MBE)法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜。通过引入Al GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性质的定性表征,并研究了生长温度和晶格失配对InAsSb外延层电学性能的影响。测试结果表明,在较低生长温度下获得的样品表面会形成缺陷,且其电学性能较差。对于一定晶格失配的样品,提高生长温度能获得较好的电学性能。     

蒙古包围护结构全寿命周期能耗研究

从毛毡材料入手,对传统羊毛毡材料进行热工性能分析。将传统蒙古包建筑厚度为18 mm毛毡的导热系数、传热系数进行数据分析处理后的平均导热系数为0.076 6 W/m·K,传热系数平均值为1.39 W/m~2·K。通过对其进行精细化试验分析,将羊毛、棉花、PVA纤维三种材料混合配比,经数据分析处理后羊毛棉花、羊毛PVA纤维、棉花PVA纤维的平均导热系数分别为0.059、0.066、0.075 W/m·K。从而解决了全寿命周期内围护结构材料耗能量高的重要问题,实现优化后热指标高于优化前6 W/m~2左右,促进、提高了毛毡材料的节能保温性。     

谈安家岭矿外包剥离施工管理

从规范施工单位、生产组织和甲方制度完善 3个方面 ,阐述了安家岭矿在外包剥离管理方面 ,如何保证施工力量、科学规划施工单位 ,合理安排现场生产 ,在安全的前提下保证施工单位作业设备效率充分发挥 ,保证甲方外包剥离任务高质量完成的做法     

二滩电厂发电机转子一点接地保护原理探讨及改进措施

详细论述了二滩电厂发电机转子一点接地保护装置工作原理 ,剖析其死区存在之机理和灵敏度不对称而导致的严重后果 ,并提出了改进措施和进一步的研究设想。     

普通自由基引发剂存在下的原子转移自由基聚合(英文)

一种首先使聚合体系在６５～７０℃反应１０ｈ,然后再升温至１３０℃发生聚合反应的新聚合方法可以使苯乙烯在低的ＡＩＢＮ／ＣｕＣｌ２摩尔比下实现原子转移自由基聚合,而且苯乙烯活性聚合的可控程度与ＡＩＢＮ／ＣｕＣｌ２的摩尔比无关。     

丙烯腈聚合反应过程中聚合物浓度与聚合转化率的联合控制

本文介绍了有特色的聚合物浓度预测控制技术在丙烯腈聚合反应过程中的应用,采用质量指标的软测量技术,并应用估计模型与预测模型相分离的技术,最终实现聚合物浓度与聚合转化率的联合控制。现场运行结果表明本系统能平稳、及时、准确地控制聚合釜内温,明显改善产品的质量。     

在共混物界面研究中分数维的物理意义

讨论了在共混物界面研究中分数维的物理意义,指出它是反映共混物界面特征的态函数。     

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.     

量子级联波长上转换系统红外响应特性研究

通过对波长上转换红外探测过程的分步测试和理论计算,对量子级联波长上转换器件与系统的红外响应特性进行了深入的研究。结果表明:量子级联波长上转换红外探测器件可以在较低的本底发光下实现较强的红外响应。上转换器件的响应度在平带偏压附近迅速增加,且红外光转换为上转换器件电流的线性度良好。对于波长上转换器件的近红外发光过程,文中应用ABC模型,获得了与测试结果非常一致的系统响应电流与电流转换效率,并合理地解释了波长上转换红外探测系统的非线性响应特征。     

Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响

研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因。对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释。