全文获取类型
收费全文 | 510篇 |
免费 | 21篇 |
国内免费 | 29篇 |
专业分类
电工技术 | 23篇 |
综合类 | 21篇 |
化学工业 | 43篇 |
金属工艺 | 23篇 |
机械仪表 | 42篇 |
建筑科学 | 60篇 |
矿业工程 | 16篇 |
能源动力 | 42篇 |
轻工业 | 50篇 |
水利工程 | 17篇 |
石油天然气 | 8篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 126篇 |
一般工业技术 | 33篇 |
冶金工业 | 20篇 |
原子能技术 | 6篇 |
自动化技术 | 29篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 23篇 |
2022年 | 18篇 |
2021年 | 31篇 |
2020年 | 25篇 |
2019年 | 28篇 |
2018年 | 21篇 |
2017年 | 8篇 |
2016年 | 9篇 |
2015年 | 7篇 |
2014年 | 27篇 |
2013年 | 15篇 |
2012年 | 19篇 |
2011年 | 40篇 |
2010年 | 35篇 |
2009年 | 34篇 |
2008年 | 35篇 |
2007年 | 50篇 |
2006年 | 37篇 |
2005年 | 31篇 |
2004年 | 17篇 |
2003年 | 7篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 9篇 |
1998年 | 6篇 |
1996年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有560条查询结果,搜索用时 0 毫秒
71.
72.
73.
单晶硅太阳电池发射极的模拟优化 总被引:1,自引:0,他引:1
针对传统p型衬底晶硅太阳电池,通过PCID数值计算,模拟了发射极扩散峰值浓度、方块电阻、结深等对电池性能的影响规律以及该规律与硅衬底电阻率之间的依赖关系,分析了其中所蕴含的作用机理.对于磷原子浓度梯度符合余误差分布的发射极,得到扩散制结的标准为:扩散峰值浓度介于1×10~(19)~5×10~(19)cm~(-3)之间,方块电阻在100Ω/□以上.尽管电池效率在衬底电阻率为1Ω·cm时最高,并随衬底电阻率的增大而明显下降,但上述发射极扩散标准基本保持不变. 相似文献
74.
75.
76.
77.
为研究间隙氧和硼对于硅片少子寿命和光衰减的影响,实验中采用不同氧碳含量、不同掺杂浓度的p型(100)的直拉硅(Cz-Si)片制作太阳电池,设计了不同温度、气氛的热处理工艺。发现:太阳能级直拉单晶硅片中间隙氧含量和硼的掺杂浓度的不同对于硅片少子寿命的影响有一定的规律;硅片少子寿命值在650℃热处理时有轻微下降,而在后续650℃和950℃的热处理中有着显著的提高。当电阻率一定时,低氧的样片有利于少子寿命的提高;而在氧含量相同的情况下,掺杂硼的浓度越低,对于少子寿命的提高越有利。 相似文献
78.
提升晶硅异质结(HJT)太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜(TCO)是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对HJT太阳电池性能的影响。最后阐述了TCO薄膜应用的最新进展及发展趋势,增加盖帽层或多层TCO薄膜有望改善薄膜整体特性及电池性能。以期指导TCO薄膜特性的优化,从而进一步提高HJT太阳电池效率,加快HJT太阳电池产业化进程。 相似文献
79.
80.
研究不同时间氢等离子体处理(HPT)氢化非晶硅a-Si:H(i)钝化层对高效晶硅异质结太阳电池(效率>23%)性能的影响。发现适当时间的HPT可改善钝化效果提升电池性能,但过长时间的HPT可导致薄膜钝化效果变差,有效少数载流子寿命降低。分析认为HPT时间过长,H原子进入到a-Si:H(i)薄膜层中,导致薄膜内部SiH2增多,微结构因子(R)增大,薄膜质量变差。并且,适当时间的HPT改善太阳电池性能的幅度有限,而过长时间的HPT导致电池性能下降却很明显。因此,针对高效率的晶硅异质结太阳电池,应对钝化层沉积之后的HPT工艺进行谨慎控制。 相似文献