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71.
介绍了一种用于测量表面接触角的简易装置,目的是为材料表面的润湿性实验研究过程提供一种简易专用装置和方法,替代昂贵的专用测量仪器,用于快速评估被测样品表面的接触角。装置由样品台、光学系统、三维平移台、移液器和计算机组成,对被测样品表面具有一定体积的液滴通过光学系统成像,并将CCD相机与计算机相结合,对液滴形态图像进行存储和分析,从而得到被测样品的表面接触角。对装置的结构、功能和使用方法进行了介绍。  相似文献   
72.
本文首先介绍了当前风电市场主流的双馈式风力发电系统和直驱式风力发电系统的拓扑结构,并分析了不同的拓扑对电压跌落的不同动态响应;其次,本文分别对双馈式机组和直驱式机组的电机侧和网侧变换器的矢量控制算法进行了分析和总结。同时,分别对这两种机型的卸荷电路做了分析和比较;最后,通过对某1.5MW双馈机组进行低电压穿越的验证,不仅成功完成了符合我国电网要求的低电压穿越测试,更进一步完成了德国标准的零电压穿越测试。  相似文献   
73.
单晶硅太阳电池发射极的模拟优化   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对传统p型衬底晶硅太阳电池,通过PCID数值计算,模拟了发射极扩散峰值浓度、方块电阻、结深等对电池性能的影响规律以及该规律与硅衬底电阻率之间的依赖关系,分析了其中所蕴含的作用机理.对于磷原子浓度梯度符合余误差分布的发射极,得到扩散制结的标准为:扩散峰值浓度介于1×10~(19)~5×10~(19)cm~(-3)之间,方块电阻在100Ω/□以上.尽管电池效率在衬底电阻率为1Ω·cm时最高,并随衬底电阻率的增大而明显下降,但上述发射极扩散标准基本保持不变.  相似文献   
74.
借助 ANSYS大型有限元分析软件 ,实现了 16 V2 4 0曲轴淬火过程的计算机模拟 ,模拟结果可直观地显示出任一时刻曲轴表面及内部的温度分布、冷却曲线以及淬火结束后的残余应力分布 ,并能预测淬硬层深度。同时对比了轴颈内圆角处进行淬火和不进行淬火两种工艺的效果 ,为现场提供了用虚拟现实方法详尽分析和研究淬火工艺的工具。  相似文献   
75.
李海玲  王文静  亢国虎  宋爽  许颖 《太阳能学报》2006,27(11):1103-1107
采用中频磁控溅射法与弧抑制技术相结合制备出了廉价、大面积、光催化效果好并且膜与衬底结合牢固的TiO2薄膜。通过改变衬底材料、薄膜厚度、掺杂类型等参数,发现在不锈钢丝网衬底上制备的氮掺杂薄膜在500nm厚时具有最好的光催化效果。用此方法制备TiO2薄膜可以大面积连续生产,具有廉价、催化性能好,与衬底结合牢固、方便应用等优点,因而可以广泛的应用于空气净化器中,从而有利于TiO2光催化薄膜的产业化发展。  相似文献   
76.
吸杂是减少硅中杂质和缺陷,提高多晶硅太阳电池效率的一种有效手段。本文比较了用三种吸杂方式对多晶硅进行处理的结果和影响:多孔硅吸杂,磷吸杂,多孔硅结合磷吸杂。三种吸杂方式都能明显提高多晶硅的少子寿命。在此基础上研究了多孔硅吸杂的工艺,发现多孔硅吸杂的效果随退火的温度和时间影响比较大,在800℃氮气气氛下退火3h,多晶硅的少子寿命能由原来的1.4μs提高到25.6μs。相比之下,多孔硅吸杂工艺简单,更适合工业生产。  相似文献   
77.
为研究间隙氧和硼对于硅片少子寿命和光衰减的影响,实验中采用不同氧碳含量、不同掺杂浓度的p型(100)的直拉硅(Cz-Si)片制作太阳电池,设计了不同温度、气氛的热处理工艺。发现:太阳能级直拉单晶硅片中间隙氧含量和硼的掺杂浓度的不同对于硅片少子寿命的影响有一定的规律;硅片少子寿命值在650℃热处理时有轻微下降,而在后续650℃和950℃的热处理中有着显著的提高。当电阻率一定时,低氧的样片有利于少子寿命的提高;而在氧含量相同的情况下,掺杂硼的浓度越低,对于少子寿命的提高越有利。  相似文献   
78.
提升晶硅异质结(HJT)太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜(TCO)是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对HJT太阳电池性能的影响。最后阐述了TCO薄膜应用的最新进展及发展趋势,增加盖帽层或多层TCO薄膜有望改善薄膜整体特性及电池性能。以期指导TCO薄膜特性的优化,从而进一步提高HJT太阳电池效率,加快HJT太阳电池产业化进程。  相似文献   
79.
该文分析了颗粒硅带(SSP;Silicon Sheet from Powder)衬底的杂质、缺陷和晶粒尺寸以及电池的电极设计对多晶硅薄膜太阳电池效率的影响;报道了用快速热化学汽相沉积法(RTCVD)在SSP上制备多晶硅薄膜电池的结果;得到电池的开路电压为506.8mV,短路电流为26.69mA,转换效率为8.25%(AM1.5,24℃,Area=1tm2).  相似文献   
80.
研究不同时间氢等离子体处理(HPT)氢化非晶硅a-Si:H(i)钝化层对高效晶硅异质结太阳电池(效率>23%)性能的影响。发现适当时间的HPT可改善钝化效果提升电池性能,但过长时间的HPT可导致薄膜钝化效果变差,有效少数载流子寿命降低。分析认为HPT时间过长,H原子进入到a-Si:H(i)薄膜层中,导致薄膜内部SiH2增多,微结构因子(R)增大,薄膜质量变差。并且,适当时间的HPT改善太阳电池性能的幅度有限,而过长时间的HPT导致电池性能下降却很明显。因此,针对高效率的晶硅异质结太阳电池,应对钝化层沉积之后的HPT工艺进行谨慎控制。  相似文献   
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