射频磁控溅射制备ZnO：Ga透明导电膜及特性

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率达到了 3 9× 10 -4Ω·cm ,方块电阻约为 4 6Ω/□ ,薄膜具有良好的附着性 ,在可见光区的平均透过率达到 90 %以上 .     

射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌（ZnO∶Ga）透明导电膜，并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究．制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜，最佳择优取向为(002)方向．薄膜的最低电阻率达到了3.9×10－4Ω·cm，方块电阻约为4.6Ω/□，薄膜具有良好的附着性，在可见光区的平均透过率达到90％以上．     

激光辐照金属圆柱壳体热力学效应模拟

激光辐照金属圆柱壳体的热力学效应是激光与物质相互作用研究领域受到诸多关注的一个研究方向,其主要研究内容包括材料和结构热响应和力学响应,结构的破坏失效,以及对破坏结果的定量评价等。概述了作者所在课题组在激光辐照金属壳体热力学效应模拟方面的研究进展,分别给出了金属材料和结构激光辐照三维温度场的理论解,建立了壳体损伤特征温度的数值模拟方法,并对结构破坏失效的评价方法进行了理论探索。通过以上研究建立了有关热响应、力学破坏以及破坏评价等方面的模拟技术,并获得了相关的热力学效应规律。     

薄膜厚度对ZnO:Ga透明导电膜性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnOGa)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnOGa是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.     

真空退火对溅射淀积ZnO：Ga透明导电膜性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上。     

退火处理对SnO2：Sb薄膜结构和光致发光性质的影响

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2：Sb薄膜，研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄，晶粒生长的择优取向为（110）。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射，并对SnO2：Sb的光致发光机制进行了探索性研究。     

ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnOGa)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnOGa是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.     

J2ME平台下文本阅读器的实现

本文利用J2ME技术开发了一个文本阅读器,实现了手机对文本文件的显示,给出了该程序的实现代码,并对其关键技术进行了详细阐述。     

SPH原理、发展现状及热传导问题模型

对光滑粒子流体动力学方法（smoothed particle hydrodynamics,SPH）的基本技术原理及发展现状进行了综述,利用SPH方法对两个典型二维非线性动力学算例进行了数值模拟。同时,利用国外学者提出的方法初步探索了有关热传导问题的SPH模型。