AlGaN中的应变状态

用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30%,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接近0.在本实验条件中,由于GaN层处于压应变状态,导致与AlGaN外延层的失配变小,使得组分约为0.16的AlxGa1-xN外延层可以共格生长在GaN层上.     

Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究

本文利用Ｘ射线衍射和ＡＥＳ（俄歇）方法，深入地研究了ＲＦ磁控溅射淀积的Ｐｔ－Ｎｉ／ｐ－ＩｎＰ（１００）非合金膜系在热退火过程中Ｐｔ和Ｎｉ与衬底ＩｎＰ中的Ｉｎ和Ｐ形成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低到３×１０－６Ω·ｃｍ２的根本原因     

半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量

本文利用Ｘ射线双晶衍射Ｂｏｎｄ方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘ＧａＡｓ的晶格参数．建立了过量Ａｓ在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘ＧａＡｓ晶格参数的根本原因．并建立了半绝缘ＧａＡｓ晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量．这对于ＧａＡｓ单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义．     

半导体超晶格结构参数的x射线衍射运动学理论拟合计算

运用x射线衍射的运动学理论研究了[(Ga_(1-x)Al_xAs)_m(GaAs)_a]_N/GaAs(001)一维超晶格结构。通过模拟计算,精确确定了起晶格的结构参数。本文所述的方法可用于各种超晶格结构,具有普遍意义。另外,还对超晶格卫星峰强度的非对称性以及界面过渡层的存在对卫星峰强度的影响,做了必要的讨论。     

MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性

使用四圆衍射仪和双晶衍射技术 ,分析了 Si C体单晶的结构和极性 .Si C单晶体由化学气相淀积法获得 .六方 { 10 15 }极图证明了该单晶结构为 6 H型 .三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该单晶的 Si终端面和 C终端面 ,即极性面。两个面的一、二、三级衍射强度的测量比值与经过散射因子修正后计算的结构振幅平方比值| F ( 0 0 0 L ) | 2 / | F( 0 0 0 L ) | 2 非常吻合 .因此 ,利用极性面的衍射强度差异 ,可以方便、严格地判断具有类似结构如 2 H{ 0 0 0 1}、4H { 0 0 0 1}及 3C- Si C{ 111}的极性     

基于非线性AgGaSe2晶体的光纤 SO2传感器

根据SO2气体的吸收光谱,选择波长为1268nm的单极性半导体激光器和波长为1083nm的分布反馈式半导体激光器,经光纤耦合作为泵浦光并通过周期性极化的AgGaSe2晶体叠加,产生对SO2具有强吸收的7.4μm连续差频光,研制出一种光纤传感器,实现了对二氧化硫气体的检测.该传感器具有检测灵敏度高、稳定性好、结构简单及可在线测量等特点.实验结果表明,这种传感器的检测灵敏度为7.5×10-4.     

AlGaN中的应变状态

用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm 的AlxGa1-xN外延层中的应变状态. 实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小，并且在0.42时达到30%，此后随组分的增加变化较慢，在x＝1(AlN)时接近0. 在本实验条件中，由于GaN层处于压应变状态，导致与AlGaN外延层的失配变小，使得组分约为0.16的AlxGa1-xN外延层可以共格生长在GaN层上.     

C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征

利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%—1.0%的Si1-xCx合金,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因．如果注入的C离子剂量小于引起Si非晶化的剂量,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xCx合金,而预先利用Si离子注入引进损伤有利于Si1-xCx合金的形成;但如果注入的C离子可以引起Si的非晶化,预先注入产生的损伤缺陷不利于Si1-xCx合金的形成．与慢速退火工艺相比,快速热退火工艺有利于Si1-xCx合金的形成．离子注入的C原子在空间分布不均匀,退火过程中将形成应变不同的Si1-x-Cx合金区域．