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外加氦气流下脉冲激光沉积制备纳米硅晶粒成核区宽度的计算 总被引:1,自引:1,他引:0
在室温、10 Pa氦气氛围中,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过在烧蚀羽辉正上方距靶面不同位置垂直引入一束氦气流,在烧蚀点正下方与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜。扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射光谱和X射线衍射(XRD)谱检测结果均表明,纳米Si晶粒在距靶一定的范围内形成,其尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小。在分析衬底上的晶粒尺寸及其位置分布的基础上,结合流体力学模型、成核分区模型、热动力学方程以及晶粒形成后的类平抛运动,计算得出了纳米Si晶粒的成核区宽度为56.2 mm。 相似文献
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针对甜菜碱中三甲胺含量高的特点,采用汽提法进行处理。通过实验与模拟相结合的方法,考察了样品液pH值、进料温度、总理论塔板数、进料位置及塔顶采出量对三甲胺去除效果的影响。结果表明:在pH值为9.5、进料温度为55℃、总理论塔板数为15、进料位置在第3块板、塔顶采出量为200kg·h-1的优化条件下,处理后三甲胺的含量低于20×10-6。 相似文献