XRD对ZnO 薄膜生长条件和退火工艺的优化

利用等离子体MOCVD设备在(001)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析,优化了薄膜的生长条件,长出了半高宽仅为0.15°的单一取向的高质量ZnO薄膜,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力,而生长结束后一次退火却引入了压应力。     

谈静电复印纸静电的消除

静电复印是利用静电摄影的原理,经充电、曝光、显影、转印、定影等基本过程,自动连续完成复印。消除静电对保护感光鼓具有重要作用。静电复印技术选用的光接受体是光敏介质或光敏半导体,通过曝光可在光导材料上形成能长时间保存的静电塔像,在显像过程中使具有反极性的墨粉或油墨,靠静电吸附在静电潜像上,而显现出可见图像。静电复印纸经过抄造成形、压榨脱水、干燥、压光、卷取等生产过程,纸面受到摩擦,是产生静电的重要原因。这些静电在切纸时产生“粘连”、“飞张”等操作障碍,并且吸附粉尘;在复印时会发生“曾送”,影响走纸。…     

垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用

在异质结双极晶体管(HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻,以改善其热稳定性.通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻,而且在功率HBT器件中还能非常有效地降低发射极电流集边效应.     

γ一Fe_2O_3气敏材料的制备及掺杂研究

作者以不同铁盐与NaOH反应,用共沉淀法遴选出了较好的γ-fe_2O_3气敏材料;再通过多种掺杂,研究杂质对材料灵敏度的影响,寻找γ-Fe_2O_3,对CO、H_2、LPG灵敏的适宜掺杂剂,以促进γ-Fe_2O_3,气敏元件的实用化.同时,作者又通过对掺杂物热力学数据的研究,初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律.     

我国利用铁矿尾矿研制生产建筑材料的现状及展望

本文综述国内外利用铁矿尾矿研制生产建筑材料的现状，提出存在的问题及建议，并对其进一步应用作出展望。?     

劳保用品不能一发了之

劳动保护用品,是企业根据国家安全的法律法规,配发给职工的防护性装备,安充分体现了党和国家、企业对广大职工的关心与爱护。笔者就矿企职工劳保用品使用情况调查时发现,个人劳保用品大多被挪作他用,使用率低得令人担忧,工作中因没配戴劳保用品或使用不当而导致的大小事故时有发生,尤为严重的是长期接触粉尘而患尘肺病的逐年增多。然而,这些隐患并没有引起企业领导及矿工们的注意,也实属安全检查中的空白区。     

水电站监控系统的报表处理

在水电站的运行管理中，最能反映电站运行状况的就是电站运行报表，运行管理人员可以通过运行报表分析以往电站运行情况，对下一步的工作做出安排，介绍在水电站自动化监控系统的设计中，对运行日报表的处理。     

Influence of oxygen partial pressure on properties of N-doped ZnO films deposited by magnetron sputtering

N-doped ZnO films were radio frequency(RF)sputtered on glass substrates and studied as a function of oxygen partial pressure(OPP)ranging from 3.0×10-4 to 9.5×10-3 Pa.X-ray diffraction patters confirmed the polycrystalline nature of the deposited films.The crystalline structure is influenced by the variation of OPP.Atomic force microscopy analysis confirmed the agglomeration of the neighboring spherical grains with a sharp increase of root mean square(RMS)roughness when the OPP is increased above 1.4×10-3 Pa.X-ray photoelectron spectroscopy analysis revealed that the incorporation of N content into the film is decreased with the increase of OPP,noticeably N 1s XPS peaks are hardly identified at 9.5×10-3 Pa.The average visible transmittance(380-700 nm) is increased with the increase of OPP(from～17%to 70%),and the optical absorption edge shifts towards the shorter wavelength.The films deposited with low OPP(≤3.0×10-4 Pa)show n-type conductivity and those deposited with high OPP(≥9.0×10-4 Pa)are highly resistive(105Ω·cm)     

退火工艺对Bi2Te3薄膜近红外光响应性能影响的研究

采用物理气相传输法(PVT)在p-Si衬底上制备了n-Bi₂Te₃薄膜。在不同温度下对薄膜样品进行退火处理,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜以及光致发光光谱对退火处理前后的薄膜形貌与微观结构进行表征。研究了退火温度对Bi₂Te₃薄膜形貌结构以及红外光响应能力的影响。结果表明在200～400℃的温度区间内,退火温度为250℃时可有效提高薄膜结晶度,细化晶粒,减少薄膜缺陷,降低缺陷能级对Bi₂Te₃薄膜红外光响应性能的影响,使得在250℃获得的高结晶质量的Bi₂Te₃薄膜的红外光响应性能均优于其他的退火温度获得Bi₂Te₃薄膜和未处理的,表明采用PVT方法制备的Bi₂Te₃薄膜的最佳退火温度是250℃。