基于分段自适应采样压缩感知的FBG光谱压缩与重构方法

针对光纤布拉格光栅(FBG)传感系统中数据量庞大、不利于数据传输及存储的问题,提出了一种分段自适应采样压缩感知与改进的正交匹配追踪(SASCS-IOMP)算法。利用设计特定参数的Gabor滤波器提取FBG光谱信号上边带斜率最大的频率点,根据Hilbert变换粗定位FBG中心波长位置,并对FBG光谱进行自适应分割。在不同分割区域设置不同的信噪比阈值,以降低光谱信号的总压缩比。在自适应采样过程中,为缩短算法的运行时间,引入比例-积分-微分控制算法,设计一种自适应步长增长机制,最后利用IOMP算法重构光谱。仿真结果表明,在单峰和多峰情况下,SASCS-IOMP算法都能降低总观测值的数目,且FBG光谱3dB带宽内的重构误差均在0.7%以内。     

基于代理的UPT业务接入方案

通用个人通信旨在向用户提供个人移动性和业务移动性,满足用户的个人通信需求。现有智能网的概念模型在支持个人业务方面存在一定的局限性。近年来,代理技术,尤其是移动代理在电信领域的应用已成为个人通信研究的热点。结合现有ＩＮ业务集中控制的优点和移动代理平台对个人通信强有力的支持,并考虑ＩＮ系统的平滑演进,从而实现通用个人通信系统的业务接入。     

布里渊温度和压力传感器增敏设计

设计了一种基于分布式传感技术的薄壁圆筒型液体温度和压力传感器.选取具有耐腐蚀、弹性性能好以及热膨胀系数大的不锈钢316L和铍青铜C17200分别对传感器进行封装.利用有限元仿真软件ANSYS Workbench对封装的传感器压力和温度特性进行仿真分析,得到器件的径向应变量,分析其布里渊频移随压力和温度的变化关系.仿真实验表明,使用铍青铜C17200封装的传感器压力灵敏度和温度灵敏度更高,在0～12 MPa、-5～40℃范围内压力灵敏度达11.1 MHz/MPa,温度灵敏度达2.56 MHz/℃,相较于普通单模光纤分别提升7.4倍和1.7倍.     

大口径主焦点式光学系统轻量化结构设计、分析与试验

针对主焦点式光学系统的特点,对某φ700 mm极轴式望远镜光机结构部分采用模块化设计,分别对主镜室组件、连接镜筒和校正镜镜筒和全系统结构进行了有限元分析与优化,使系统总重不超过700 kg,系统弯沉不超过4\     

基于管制语音识别的场监系统离港航空器自动标识

该文分析了场监系统中离港航班自动标识的实现方法。通过对语音识别技术的应用,根据场面监视系统的功能需求,对其软件进行改进,从而实现了系统对管制语音指令的识别和对离港航空器的自动相关。     

可调强光对可见光CCD摄像系统成像过程的干扰研究

为了对抗电视成像制导武器,采取用可调强光照射目标的方式对CCD 摄像系统的成像过程实施干扰。首先在介绍CCD 摄像系统获取图像流程的基础上理论计算了输出图像灰度值与光照条件、摄像机参数之间的关系;然后,讨论了不同光强比和照射面积比等光照条件对CCD 摄像机增益控制的影响,得到了增益随光照条件变化的调节曲线;最后开展了全局光照和局部光照对成像质量的影响以及按一定出光时序控制光照条件对成像质量影响的实验,并利用结构相似度（SSIM）对干扰图像进行质量评价。结果表明:可调强光能够对CCD 成像过程造成很大干扰,使获取的图像质量大大降低。     

真三维立体显示静态成像技术研究

简述了二维立体显示的现状,分析了真三维立体显示静态成像技术的基本原理和成像空间材料选取的依据,给出了真三维立体显示系统的控制模型,最后以人体心脏为例实现了真三维立体显示静态成像的模拟,并列举了它在各领域中的应用。     

ADSP-TS101s技术在声纳信号处理中的应用

阐述了基于ADSP TS101s的声纳数字信号处理机的设计原理和实现方法。首先详细介绍了所设计的数字信号处理机的硬件电路结构及其强大的处理能力,然后叙述了程序设计流程及主控软件设计流程。该数字信号处理机采用3片ADSP TS101s,其通讯采用链路口互联方式,大大提高了系统的实时性;此外,其工作模式和系统参数可以通过主控计算机设置,方便用户使用。消声水池试验结果表明,该信号处理机能够满足声纳信号处理技术研究的要求。     

双栈终端在IPv4-IPv6过渡期访问WAP业务的技术实现

目前WAP业务访问的主机均为IPv4主机,随着3G时代的到来以及IPv4地址的枯竭,将业务引入到IPv6网络是发展趋势,文章将WAP业务从终端到最终访问的业务主机过程进行了贯穿性的描述,重点说明了该业务由IPv4网络向IPv6网络过渡阶段的一些技术实现。     

射频溅射法生长ZnO薄膜的参数研究

以ZnO陶瓷为溅射靶材,通入纯氩气,使用射频溅射法在玻璃基片上制备ZnO薄膜,研究了气体压强、基片温度、溅射功率等对薄膜性质的影响。通过XRD及原子力显微镜(AFM)等检测得出制备C轴(002)ZAO薄膜的最佳工艺条件为:溅射压强0.4Pa;溅射功率200W;基片温度300℃。