Na补偿的(Na,Bi)TiO3-Ba (Zr,Ti)O3无铅压电陶瓷

研究了(1-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1-x)O3无铅压电陶瓷,获得压电应变常数d33高达185 pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。添加0.04%摩尔过量Na2CO3的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3高性能压电陶瓷d33高达195 pC/N。研究发现添加Na2CO3添加量至0.04%摩尔,Na起到软性添加物的作用,添加量超过0.04%,Na起到硬性添加物的作用.理论解释了过量Na的这一特性.为了降低介电损耗,对0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06 Ba(Zr0.055Ti0.945)O3陶瓷进行了(Ce,Mn)掺杂改性研究。     

基于SVD与MUSIC的亚奈奎斯特采样重构算法

调制宽带转换器(modulated wideband converter,MWC)采样方法针对稀疏宽带信号实现了可精确重构的亚奈奎斯特采样,缓解了采样率高的压力.然而现有重构算法所需的最小通道数和采样率与理论下限值仍存在较大差距.针对该问题基于奇异值分解(singular value decomposition,SVD)和多信号分类(multiple signal classification,MUSIC)思想提出一种间接重构算法.该算法首先利用SVD思想通过降维变换在不改变未知矩阵支撑集的前提下将MWC采样模型转化为低维的多测量向量(multiple measurement vector,MMV)问题,然后利用MUSIC思想获取支撑集,最后通过伪逆实现重构.实验结果表明,与传统重构算法相比,该算法可以进一步降低采样率要求,在较少的通道数下实现高概率重构,在一定条件下,重构所需的最低通道数已接近理论下限值.     

Bi过量和Mn掺杂的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷

采用传统电子陶瓷制备工艺制备(1–y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1–x)O3无铅压电陶瓷,获得了d33高达185pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。对Bi的挥发进行了补偿,添加过量Bi2O3(摩尔分数z=0.08)的钛酸铋钠基压电陶瓷,d33高达218pC/N。研究了Mn掺杂对钛酸铋钠基陶瓷压电、介电性能和损耗的影响,获得了高性能的无铅压电陶瓷,其中d33为214pC/N,kt为0.44,k33为0.52。     

激光诱导荧光光谱诊断血栓的研究

用氮分子激光作光源,以激光诱导荧光光谱方法测定体外人工血栓的荧光光谱。实验显示血栓荧光光谱具有不同于动脉内膜和斑块荧光光谱的三个特征:1.荧光强度普遍减弱.2.420nm前无荧光峰.3.荧光峰值波长向较长波长移位。     

脉冲频率和单脉冲能量对准分子激光消蚀人尸正常主动脉的影响

设定激光照射能量，分别改变脉冲频率和单脉冲能量，用ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）准分子激光消蚀人尸正常主动脉。光镜下观察消蚀坑的组织形态学变化并测量消蚀坑深度，研究脉冲频率和单脉冲能量对消蚀过程的影响。     

高铬、中铬、球墨铸铁复合轧辊的离心铸造

使用卧式离心机、选用高铬铸铁外层、中铬铸铁中间层和球墨铸铁芯部三种金属成分，以微机监控红外测温仪监控外层及中间层金属内表面温度的方法，确定中间层铁水和芯部铁水的浇注时机及离心机停机时机；采用分步球化处理、多次孕育和侧返缝隙浇口等相应铸造工艺及对辊身进行亚临界热处理等措施，成功地铸造了一对辊身尺寸为８００×１２００ｍｍ的复合轧辊。检验结果表明，三种金属熔合质量良好，辊身、辊颈组织和性能满足技术要求。     

扁平显像管:厚度仅有五十毫米

上海交通大学HDTV研究所承担的“八五”国家重点科技攻关项目——新型扁平显像管研究二期工程——扁平优化管的研究工作,经过全体攻关人员3年多时间的艰苦努力已获得成功,一只屏径为180mm左右,厚度仅为50mm的显像管近日通过了有关专家的初步评审。     

电磁波对导体的绕射

本文详细地讨论了置于电磁场中的任意形状的完全导体对电磁波绕射的二维问题;提出了求解绕射波场的一般方法;给出了导体表面电流分布的普遍解析算式。