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CMP加工过程中均匀去除率的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
种宝春 《电子工业专用设备》2007,36(1):58-61
半导体制造技术已经达到了亚微米技术水平,CMP(chemical mechanical planarization)化学机械抛光是IC制造工艺中进行全局平坦化唯一的途径,分析了针对大直径晶圆进行全局平坦化,达到面型精度和表面完整性的要求而采取的区域压力控制技术。 相似文献
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中国内地的3G进程到了关键时刻,华为等早就瞄准3G的国产厂商已经迫不及待了。U535是华为推出的最新款3G手机,它的外观黝黑圆润,由此有“黑珍珠“之称。U535支持WCDMA/GSM双网络制式,最大数据传输速率达384Kbps,在高速3G网络的支撑下,视频通话、流媒体等高端3G应用毫无阻碍,电子邮件收发、WAP浏览等2.5G时代已 相似文献
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104.
随着高清格式之争的尘埃落定,摆在广大高清用户面前最大的问题就是高清视频的存储了。无论是自己在网上下载的高清影片,还是自己外出时用高清数码摄像机拍摄的视频,它们共同的特点就是有着海量的体积,那动辄数十GB的存储容量让我们原本就不富裕的硬盘空间变得更加拥挤。这里MI就向大家介绍几种高清视频文件的保存方案。 相似文献
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Daimlar ChryslerResearch Center Umiversity of Ulm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In . Ga. As PIN二极管 并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 InP基InGaAs PIN二极管胜过GaAs开关电路 同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 采用线性InAAs应变缓冲层 其结果是消除%的应力。 已报道的SPST隔离度高达dB .dB低的插入损耗 在GHz下 直流损耗仅为.mWSPDT在GHz下已取得—dB的隔离和-.dB的插 《微电子技术》2001,29(3):22
DaimlarChryslerResearchCenterandUmiversityofUlm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In 0 52Ga 0 4 8AsPIN二极管 ,并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,InP基InGaAsPIN二极管胜过GaAs开关电路 ,同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 ,采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 ,采用线性InA1As应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的SPST隔离度高达 4 5dB … 相似文献
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随着网络技术和多媒体技术的快速发展,各种视频服务日益普及,同时对安全的要求也越来越迫切。为此,针对目前最新的视频压缩标准H.264的特点,文中选择采用混沌流密码有选择地对视频编码中起关键作用的数据进行加密,从而实现了帧内预测模式IPM、运动向量差值MVD和DCT系数的联合加密。理论分析和实验结果表明该算法能很好地降低计算复杂度,提高加密效率,取得了很好的加密效果。 相似文献
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作为IrDA(红外数据协会)接收器的技术供应商,夏普微电子公司正在推广其标准化的IrSimple技术,用于将相机中的图像传送给电视.夏普希望这种功能(家庭或朋友之间的非正式照片共享)能成为相机制造商提供的一种吸引人的特性. 相似文献
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