首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   92篇
  免费   6篇
  国内免费   3篇
电工技术   3篇
综合类   1篇
机械仪表   2篇
无线电   62篇
一般工业技术   27篇
冶金工业   1篇
原子能技术   1篇
自动化技术   4篇
  2009年   1篇
  2008年   3篇
  2007年   2篇
  2006年   5篇
  2005年   4篇
  2004年   6篇
  2003年   11篇
  2002年   8篇
  2001年   10篇
  2000年   3篇
  1999年   3篇
  1998年   1篇
  1997年   7篇
  1996年   5篇
  1995年   2篇
  1994年   3篇
  1993年   2篇
  1992年   5篇
  1991年   1篇
  1990年   3篇
  1989年   2篇
  1987年   4篇
  1986年   2篇
  1985年   1篇
  1984年   1篇
  1983年   2篇
  1982年   1篇
  1980年   1篇
  1979年   1篇
  1963年   1篇
排序方式: 共有101条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
在COTY系统中,采用XL透镜来改善会聚性能,减小会聚/聚焦之间的矛盾。XL透镜可以在不损失聚焦性能的前提下缩小束间距提高会聚特性。但是在XL透镜中边束像差比中束大得多,为了进一步降低像差,本文提出在XL电子枪中采用OLF透镜来扩大透镜的孔径,改善分辨率。本文给出了三维计算机程序,对主聚焦透镜进行三维计算,得到了球差系数和其它光学参量。这些数据证实了在新的方案中球差确实被降低,而且会聚特性也得以改善。  相似文献   
32.
新世纪显示器件   总被引:4,自引:2,他引:2  
评述新世纪各类显示器件的现状和技术趋势,比较各类显示器件的主要参数,预测今后显示器件的发展方向。  相似文献   
33.
七级像差的多极场分析与校正   总被引:7,自引:0,他引:7  
应用多极场理论,研究了超大偏转角情况下的偏转像差,给出了应用十四极场做七级像差校正时的多极场表达式,计算了在多种情况下十四极场对七级像差校正的影响,同时还分析了多极场像差校正的方法。  相似文献   
34.
本文分析了等直径双圆筒透镜倾斜对图象质量的影响,并与电子透镜中心偏的结果作了比较,提出了估算透镜偏心和倾斜对图象质量影响的方法。实验与理论计算结果一致。  相似文献   
35.
新型荫罩式PDP单元结构的优化设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
本讨论了新型荫罩式PDP单元结构的变化对放电的影响,从放电强度和放电效率的角度对单元结构进行优化设计。研究了取代介质障壁的荫罩的高度、宽度变化和荫罩内边界形状的变化对放电的影响,给出了不同结构下平均粒子浓度随时间的变化曲线和放电效率的变化趋势。模拟结果表明荫罩边界为内斜式的结构在响应时间、峰值浓度和放电效率上都具有较大优势,是一种较好的单元结构。  相似文献   
36.
一、引言 近年来,电子显微鉼的重要发展方向之一就是提高分辨率。要得到好的分辨率除了设计一个好的透鉼之外还要有完善的仪器,高超的操作技术,明确的分辨率定义和显微图象判据相配合。  相似文献   
37.
真空显示器件的现况与展望   总被引:1,自引:0,他引:1  
童林夙   《电子器件》2005,28(2):295-303,427
本文介绍了真空显示器件市场现况,真空显示器件技术现况,真空显示器件与平板显示器件的比较,真空显示器件技术发展趋势及前景.评述了真空显示器件CRT(CPT,CDT,VFD,FED等)技术性能,特点,市场及应用范围等.指出CPT的生存期还很长,目前主要发展方向是薄型化,即将在市场上出现韩国三星公司的新型的薄型彩色显像管(CPT)Vixlin和日本的Cannon-Toshiba公司的SED.将来最有可能的发展趋势是由CPT过度到FED.  相似文献   
38.
采用二维单基板彩色AC PDP数值计算模型 ,对放电单元的工作过程进行了模拟计算 ,给出了180V外加电压施加 4 μs后放电单元中电子和Xe激发态分子Xe (3p1)的空间浓度的分布情况。通过模拟计算不同X ,Y电极间距下电子和Xe (3p1)随时间变化情况 ,分析了进行电极距离优化设计的必要性和可能性  相似文献   
39.
对边缘切致发射三极管进行了模拟,采用的模型为“鸡尾酒杯”结构。在静电分析中引入了一种新的数值计算方法──非正交曲线坐标系下的有限差分算法。由于取的坐标轴与边界重合。所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体。给出了电场强度和发射电流与几何因子的关系及I-U特性曲线。  相似文献   
40.
偏转像差中束夹角α的高次项研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
通过计算超大偏转角下二极场的偏转像差,对偏转像差中α高次项进行了分析,得出了超大偏转角下α高次项不应忽略的结论。并应用多极场理论,研究了超大偏转角下十四极场对α高次项的校正作用。提出了在超大偏转角下偏转像差的多极场校正方法。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号