SMPDP等效电路模型的建立

等效电路模型研究方法是继流体力学模型研究方法之后,又一研究等离子体显示屏工作特性的重要手段,建立准确而简练的等效电路模型是实现此研究方法的前提和根本.本文研究了荫罩式等离子体显示屏(SMPDP)放电单元在气体放电前后工作特性的变化,提出了适用于SMPDP的等效电路模型.它主要由电容网络和晶闸管器件组成,能直接应用在电路模拟仿真软件中并得到与实际SMPDP工作特性相似的结果,为今后进一步研究和改进SMPDP提供了简便和有效的途径.     

新型荫罩式PDP效率三维模拟研究

针对目前PDP效率较低的问题,本文采用三维流体模型计算了新型荫罩式PDP(SMPDP)不同放电单元结构的放电特性和放电效率.在此基础上采用蒙特卡罗模型,研究了SMPDP放电单元中的光子辐射和捕获过程,给出了达到荧光粉层上的光子情况.研究了SMPDP结构电极宽度和位置以及气压和气体成分对放电效率的影响.设计了一种具有较高效率的荫罩式PDP结构,并提出了提高SMPDP效率的方法.     

单基板彩色AC—PDP放电单元模拟及极间距离的优化计算

采用二维单基板彩色ＡＣ－ＰＤＰ数据计算模型，对放电单元的工作过程进行了模拟计算，给出了１８０Ｖ外加电压施加４μｓ后放电单元中电子和Ｘｅ激发态分子Ｘｅ（３ｐ１）的空间浓度的分布情况，通过计算不同Ｘ，Ｙ电极间距下电子和Ｘｅ（３Ｐ１）随时间变化情况，分析了进行电极距离优化设计的必要性和可能性。     

地磁对彩色显像管影响研究

分析了彩色显像管受地磁影响问题，指出地磁场对彩色显像管具有不可忽略的影响。为减少这种影响，提出了一种经济、有效屏蔽地磁场的新技术。该技术可在不明显增加彩色显像管成本和重量的前提下，较大程度地抑制也磁场对彩色显像管的干扰，提高彩色显像管的地磁场裕度，较好地解决了彩色显像管生产中需解决的工程问题。     

彩色显像管的地磁屏蔽（Ⅰ）

为提高彩色显像管质量，减小地磁场影响，针对目前彩色显像管生产中需借助高斯房模拟销售区域地磁场对彩色显像管预调的局限性，研究了1种经济有效的屏蔽地磁场影响的新装置。采用先进的彩色显像管性能测试仪，在相同条件下与现行屏蔽方式就屏蔽效果进行了测试与对比，结果表明：该装置可抑制地磁场对彩色显像管的干扰，提高彩色显像管地磁场裕度；可省略彩色显像管生产中模拟和调速地磁场的工序，具有降低生产成本、增进效益的实用价值。     

CRT技术发展动态

信息显示技术的发展日新月异。为迎接平板显示技术的挑战,ＣＲＴ技术须进一步发挥其成本低和寻址简单的优点,克服其笨重和高功耗的缺点。本文着重对直观式ＣＲＴ、薄型ＣＲＴ以及大屏幕投影ＣＲＴ的技术在平面化、节省空间、节省功率、高亮度、高对比度、降低成本和高清晰度等方面的发展进行了分析,介绍了ＣＲＴ技术的发展动态。     

电子透镜中心偏对图象质量的影响

本文首次采用有限差分法,计算三维场来分析电子透镜的中心偏问题。给出了等直径双圆筒透镜的中心偏对图象质量的影响。最后还做了实验。所得结果表明理论计算与实验很好地一致。