一种减小X射线背向散射方法的计算机模拟

影像增强器内电极和管壳对X射线的背向散射将降低增强输出图像的空间分辨率和比度,提出一种能减小背向X射线散射的方案,即在管壳和内电极表面采用蒸镀或其它方法制作一层很薄的铝膜（如80μm）,使其吸收背向散射X射线,并对此方案的实施过程进行MonteCarlo模拟。结果表明,在X射线能量较低的场合,如常规医学诊断使用的X射线能量范围,这种方法效果明显,当球管电压为60kV时,可将背向散射X射线光子数降低到原来的25％,但随着球管电压升高,高能量的入射X射线光子数增加,背向散射光子的能量也随之提高,铝膜以背向散射X射线光子的吸收将减小,从而使铝膜对背向散射的抑制效果降低。因此,该方案并不适合X射线能量较高的场合,如工业无损检测中使用的影像增强器。     

预处理蓝宝石衬底上生长高质量 GaN 显示薄膜

采用化学方法腐蚀部分 c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用 LP-MOCVD 在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长 GaN 薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、光致发光光谱(PL)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,CaN 薄膜透射谱反映出的 CaN 质量与 X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(1012)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到 208.80arcsec 及 320.76arcsec,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略.     

《魔兽争霸3：寒冰王座》人族Lost Tempie对战指南（下）

这里举一例来说明打怪中的技巧，下图中，我们的基地位置是在六点钟的方位，英雄和两个步兵都已出来，准备开始打怪物了。我们把英雄和两个步兵都编入一队，然后全部选中，让步兵在B点的位置开始打小怪(放箭的那个)。然后让英雄在A点招出一个水元素，接着把这个水元素编人一队，开始打小怪，最后打大怪。     

动态IP静态化，打造免费虚拟域名

勤克俭要自建FTP和HTTP服务器，除了需要具备最最基本的条件（拥有一台性能不算太差的电脑，以及具备宽带上网的条件）之外，还有两个问题需要解决。首先，要让本地PC实现FTP或HTTP服务器有所有功能，这可以通过安装和设置FTP或HTTP建站工具来实现；其次，服务器建起来了，要让别人能够方便地访问，还必须有个域名或静态IP地址（总不能永远不关电脑吧，就算你的电脑万年不关，也没法保证不会断网——只要重新上线，IP地址就会变化），而宽带用户大部分都是动态IP，因此第二个问题就是如何在不花钱的条件下，把动态IP固化。     

取代并五苯电子结构与光谱的密度泛函研究

用量子化学密度泛函理论(density functional theory,DFT)对并五苯和15种取代并五苯分子在B3LYP/6-31G(d)水平上进行几何构型的全优化研究,探讨给电子取代基(—OCH3)和吸电子取代基(—F、—CN)对并五苯分子净电荷分布和前线分子轨道能的影响规律,采用含时密度泛函理论(time-de-pendent density functional theory,TD-DFT)计算激发态的电子吸收光谱.结果表明,取代基团的引入显著影响了并五苯分子的净电荷分布、分子能级和光电性能.     

基于同步扫描相机的荧光寿命测量系统研究

建立一台基于同步扫描相机的双光子激发荧光寿命显微测量系统,同步扫描相机的重复工作频率为76 MHz,利用钛宝石飞秒激光器作为光源,通过可调延时器和标准具对扫描相机的时间分辨率、扫描速度以及非线性等进行标定.该系统的时间分辨率为9 ps,非线性小于4%,量程为2.8 ns.测量了荧光染料Rose Bengal(RsB)的荧光衰减曲线,通过最小二乘法对荧光的衰减曲线进行拟合,得到RsB的荧光寿命为763 ps,与标准荧光染料对比一致.     

丽人SHOW

敏敏同学出生在四川,有着80后一代四川女孩的普遍特点：美、瘦、性格直爽,对你抛不言言无不尽。“我就喜欢畅快地打游戏!”这是敏敏的独立宣言。从大学开始玩游戏至今已经六年光景。“最开始玩只是跟大家凄热闹,但是都说一般市面上都是男生的游戏,女生玩不好,就觉得很不服气,     

图形蓝宝石基GaN性能的研究

在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响.测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,x射线摇摆曲线中.其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec.透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的近带边发射峰强度最强,其半高全宽也降低到6.7 nm,几乎看不到任何黄光带.     

光电化学刻蚀法在整个5英寸硅片上制作均匀深孔阵列

在整个大面积硅片上制作均匀的深孔阵列是光电化学刻蚀中的一大难题。本文中我们首先详细分析了造成深孔阵列不均匀性的两个主要因素,然后提出了一种适合于大面积硅片深刻蚀的新型光电化学刻蚀装置。这套装置通过一个独特的水冷系统和一个花洒状的循环器对传统的光电化学刻蚀装置进行了改进。实验结果显示,借助这套装置能够在整个5英寸硅片上制作出均匀的深孔阵列。深孔阵列的形貌可以通过改变相应的刻蚀参数来进行调整。     

Photoelectrochemical etching of uniform macropore array on full 5-inch silicon wafers

We analyze the two main factors causing non-uniformity of the etched macropore array first,and then a novel photoelectrochemical etching setup for large area silicon wafers is described.This etching setup refined typical etching setups by a water cooling system and a shower-head shaped electrolyte circulator.Experimental results showed that the uniform macropore array on full 5-inch n-type silicon wafers could be fabricated by this etching setup.The morphology of the macropore array can be controlled by ...