新型力量建设的外驱力影响

分析了新型力量建设外驱力的构成,阐述了规模和质量是新型力量建设的核心要素,针对外驱力影响力量建设的多输入多输出系统特点,建立基于神经网络的外驱力影响模型,对影响算法进行了研究,旨在为军队或类似组织分析新型机构设置提供帮助。     

基于混沌置乱的分块自嵌入水印算法

针对分块自嵌入水印算法的安全性和不能有效判断图像篡改块的问题,提出一种基于混沌置乱的分块自嵌入算法.该算法将由图像块生成的水印按空间位置生成二值水印图像,利用混沌序列对其置乱加密后嵌入到图像的最低位,认证时根据设定的阈值能有效定位图像内容被篡改的图像块.实验仿真和理论分析表明,该算法在保持原算法篡改恢复效果的基础上,无论是否有水印被改变,均能有效判断图像内容被篡改的图像块,且具有更高的安全性.     

基于云平台的低功耗智能家用太阳能供电系统

为了提高家庭供电系统太阳能利用率,尽可能地降低家庭用电功耗,设计了一套新型绿色环保太阳能供电系统。该系统通过太阳能光板采集能量、蓄电池储存能量,集成最大功率电追踪、逆变升压、电量检测等技术,利用云平台管理技术,针对不同的电量情况进行控制从而保障用户负载的不间断供电。用户可以在手机客户端以及PC端查看系统的工作情况,并对系统做相应的设置与控制。文章介绍了这种低成本、高可靠性、高效率、智能化的家用太阳能供电系统。     

基于FM接收机的可变带宽频率综合器设计

本文介绍了应用在单芯片FM接收系统中可变带宽频率综合器的设计.通过同时改变电荷泵电流和滤波器的结构使锁相环的带宽发生变化,这样在不影响噪声性能(phase jitter)的前提下,锁定时间显著减小.在大电流状态下,环路带宽比锁定状态下提高了4.6倍.电路设计是采用0.6μm BICMOS工艺,仿真结果显示,在3V的电源电压下,锁定时VCO纹波电压小于0.2mV,功耗大约12mW.     

p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的研究

以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试.系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值.     

能区分图像或水印篡改的脆弱水印方案

针对现有脆弱型水印方案不能区分是图像内容还是水印被篡改的问题,提出一种能区分图像或水印篡改的脆弱水印方案.该方案用原始图像高7位的小波低频系数非均匀量化后生成的低频压缩图像作为水印,并用混沌系统对水印进行置乱加密,将安全性得到增强的水印直接嵌入到图像的LSB位;认证时通过差值图像定位图像内容被篡改的位置并指出图像中的水印是否被篡改.理论分析和仿真实验表明:该算法不但能精确定位图像内容被篡改的位置,而且能区分是图像内容被篡改、水印被篡改还是两者同时被篡改.     

基于局部特性的图像修复算法

在研究基于样本块的图像修复算法的基础上,针对填充顺序不可靠、样本块模板窗口大小选取不当和修复效率低等缺点,提出了一种基于局部特性的图像修复算法。算法结合图像的局部梯度特性和局部相似性特征,通过对数据项增加补偿系数和加大其权重,保证图像的结构连通性;根据图像梯度信息,决定样本块模板窗口大小,减少错误衍生和块效应现象;利用置信度项值自适应选取局部搜索空间大小,提高修复效率,减少误匹配。实验结果表明,本文算法能很好地保持破损区域的纹理和结构特性。     

0.18μm SOI工艺技术

最近 ,三菱电机公司开发出了一种具有高可靠性的 0 18μｍＳＯＩ工艺技术。通过这种技术 ,由ＣＭＯＳ器件实现 2 5Ｇｂ/ｓ的超高速通信用ＩＣ。而且 ,业已证实采用大容量ＳＲＡＭＴＥＧ (ＴｅｓｔＥｌｅｍｅｎｔＧｒｏｕｐ :特性评价器件 )有可能实现大规模高速ＬＳＩ。1　局部沟槽隔离技术(ａ) 0 18μｍＳＯＩ技术的开发情况所谓的ＳＯＩ技术 ,就是在Ｓｉ基板的绝缘膜 (埋入氧化膜 )上形成单晶硅层 (ＳＯＩ层 )结构。与普通的Ｓｉ基板器件在基板上直接形成晶体管的情况相反 ,ＳＯＩ器件则是在薄的ＳＯＩ层上形成晶体管 ,由于可以缩小源 …