ABB的智能电网观

ABB在智能电网建设的大潮中迎来了发展的明媚春天。持续的高强度创新是ABB长期雄踞世界电力技术领导地位的根本原因,就是在面临2002年这样极为困难的时期对研发的投入也非常可观,ABB每年都有超过1000项的专利技术问世。作为全球最大的电网技术和设备供应商,ABB在过去的100多年里凭借一     

基于三杯式风速传感器的风速监测站设计

鉴于目前可作为计算机监控网络的风速监测仪是非常少见的,论文设计了一种可方便接入分布式监控系统的风速监测站.监测站采用三杯式风速传感器作为风速传感设备,AT89C2051作为MCU,RSM485CHT作为通信接口,通过计数器测量周期得到风速.设计中,给出了监测站结构及组成、风速测量原理及风速传感器接口电路、风速测量程序和数据通信程序.实践表明该设计是切实可行的,具有很强的实用性.     

卫星光通信链路新型宽视场角埔捉方案探讨

本文提出了一种在卫星光通信链路建立中利用原子滤光器多峰特性的新型捕捉系统针原子光器等效带宽减少到０．００７ｎｍ,在实现宽视场角接收情况下进一 捕捉时间,并能满足卫星运动中的多普勒频移要求,此外本文讨论了该系统中原子滤光器等效带宽与接收视场角、信标发散角、最大捕捉时间等捕捉系统主要性能参数之间的关系。     

小型机载数字视频记录系统的设计与实现

采用嵌入式控制模块SOM2386和专用视频处理芯片SZ1510,设计和实现了一种基于电子硬盘存储的嵌入式小型机载数字视频记录系统。给出了系统总体方案,阐述了视音频解码编码、接口、控制及存储单元的硬件设计,介绍了系统的软件设计,并给出了系统软件的整体工作流程。该系统体积小、重量轻、抗震性好、使用维护方便,已在某型飞机上得到应用。     

干扰背景下瞬时极化测量雷达的目标识别预处理技术

该文以瞬时极化测量雷达的攻防对抗为背景,分析了单极化有源干扰机形成的假目标的极化散射特性。分析结果表明,在同样的干扰样式下,干扰机在分时极化测量雷达和瞬时极化测量雷达下生成的假目标具有不同的散射特性。在单极化有源假目标极化散射特性分析基础上,针对对抗条件下极化雷达无法准确测量目标散射矩阵的情况,提出了一种基于不完整极化测量的目标识别预处理方法。该方法能够有效获取目标三个极化散射矩阵序列,它们可以用作目标识别的稳健特征量。     

光纤材料锗缺氧中心与环结构特性研究

利用密度泛函理论(DFT)研究光纤材料中锗缺氧中 心(Ge-DDC)与环 结构特性,建立基于三环结构的Si-O-Si结构模型和Ge-ODC模型;同时,通过紫外可见光 (UV-Vis)吸收与拉曼测试分析研究光纤材料的微结构 特性。理论分析结果表明:对于未掺杂Ge的光纤材料,其带隙为8.36eV左右;而对于掺杂Ge元素的光纤材料,其带隙为 5.0eV左右,会在242nm波长处形成一个吸收 中心,并且它与Ge-ODC缺陷中心的吸收中心相 对应。在Ge-ODC缺陷结构中,其三环 Si-O-Si结构与Ge原子之间存在紧密联系。当掺Ge的光纤材料经辐照处理后,光纤材料中 容易产生GeE′和SiE′缺陷中心。光纤材 料受到不同剂量辐照后,光纤材料中的三环结构数量随着剂量的增加而减少。研究结果表明 ,石英材料中Ge-ODC缺陷结构容易产生 于环结构周围,并容易受到外界能量的影响。Ge-ODC与环结构特性的理论研究,对 超低损耗石英光纤的制备与设计具有重要的实际应用意义。     

一种高精度BJT温度传感器的设计

基于CMOS工艺,提出并实现了一种高精度的基于双极晶体管(BJT)的温度传感器,其由模拟前端和放缩式模数转换器(Zoom ADC)构成.模拟前端由偏置电路、感温电路和数字控制电路构成.其中,在偏置电路中加入了斩波器(Chopper), 并用低通滤波器滤除其纹波,降低了电路的噪声,提升了感温精度。为实现对模拟前端输出结果...     

金属Cr阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(In,Ga)Se2太阳电池性能的影响

研究了Cr扩散阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)太阳电池性能的影响.XRD和SEM分析表明,Cr阻挡层能够部分阻挡Fe等杂质从不锈钢衬底热扩散进入CIGS吸收层中,同时可以显著降低CIGS吸收层的粗糙度,提高薄膜结晶质量.从衬底扩散进入吸收层中的Fe元素以FeInSe2的形式存在,并形成FeCu等深能级缺陷,钝化了器件的性能.相同工艺条件下,在玻璃、不锈钢以及不锈钢/Cr阻挡层上所制备电池的(有效面积0.87cm2)转换效率分别为10.7%,7.95%和8.58%,不锈钢衬底电池效率的提高归因于Cr阻挡层的作用.     

基于纯有机电致发光器件实现红外至可见光信号上转化

在有机红外光敏剂掺杂的有机电致发光器件(OLED)中实现近红外光信号到可见光的上转化,为大面积柔性有机红外上转化器件提供一种原型设计.     

Correlated electron-hole transitions in wurtzite GaN quantum dots:the effects of strain and hydrostatic pressure

Within the effective-mass and finite-height potential barrier approximation,a theoretical study of the effects of strain and hydrostatic pressure on the exciton emission wavelength and electron-hole recombination rate in wurtzite cylindrical GaN/Al_xGa_1-xN quantum dots（QDs） is performed using a variational approach.Numerical results show that the emission wavelength with strain effect is higher than that without strain effect when the QD height is large（> 3.8 nm）,but the status is opposite when the QD height is small（< 3.8 nm）.The height of GaN QDs must be less than 5.5 nm for an efficient electron-hole recombination process due to the strain effect.The emission wavelength decreases linearly and the electron-hole recombination rate increases almost linearly with applied hydrostatic pressure.The hydrostatic pressure has a remarkable influence on the emission wavelength for large QDs,and has a significant influence on the electron-hole recombination rate for small QDs.Furthermore,the present numerical outcomes are in qualitative agreement with previous experimental findings under zero pressure.