一种2~20 GHz超宽带高效率功率放大器

基于0.25 μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种2~20 GHz的超宽带高效率功率放大器。该功率放大器采用非均匀分布式结构,可以为各级晶体管提供最佳负载阻抗。引入了漏极并联电容,以平衡输入与输出传输线的相速度,提高了输出功率和效率。在栅极引入了RC并联电路,能提高输入传输线的截止频率,保证电路稳定。仿真结果表明,在2~20 GHz的频带范围内,该功率放大器的增益为(10.7±1.2) dB,输入回波损耗小于-10 dB,饱和输出功率为28.8~29.7 dBm,功率附加效率(PAE)为33%~47%。