考虑电压和热稳定约束的可利用传输能力的快速算法

在现代电力市场环境,可利用传输能力(ATC)需要尽快提供给使用方。而在计算中要考虑的所有N-1故障因素导致了ATC计算任务非常繁重。基于此,提出了一种应用故障过滤与排序技术的ATC快速计算方法。首先,采用迭代线性潮流法(ILPF)对电网的N-1故障进行排序以筛选出热稳定极限和电压幅值约束条件下最严重的故障情况;然后,应用原始-对偶内点法对最严重故障情况进行ATC的计算,解决了ATC计算的耗时问题。算法的有效性通过IEEE30母线系统的仿真得到了验证。     

考虑电压和热稳定约束的可利用传输能力的快速算法

在现代电力市场环境,可利用传输能力(ATC)需要尽快提供给使用方.而在计算中要考虑的所有N-1故障因素导致了ATC计算任务非常繁重.基于此,提出了一种应用故障过滤与排序技术的ATC快速计算方法.首先,采用迭代线性潮流法(ILPF)对电网的N-1故障进行排序以筛选出热稳定极限和电压幅值约束条件下最严重的故障情况;然后,应用原始-对偶内点法对最严重故障情况进行ATC的计算,解决了ATC计算的耗时问题.算法的有效性通过IEEE30母线系统的仿真得到了验证.     

聚酰亚胺/氧化硅-氧化铝杂化薄膜的制备

利用溶胶-凝胶法制备了一种新型的聚酰亚胺杂化材料,并采用红外光谱和扫描电镜表征了杂化材料的化学结构和微观相结构以及分析了薄膜的成分及其含量。     

聚酰亚胺/纳米二氧化硅复合薄膜的结构和电学性能研究

在聚酰胺酸的二甲基乙酰胺溶液中，采用甲基三乙氧基硅烷为前驱体，水解原位产生二氧化硅纳米粒子的溶胶一凝胶工艺，制备了聚酰亚胺／纳米二氧化硅复合薄膜。采用红外光谱对薄膜进行了表征，并对薄膜的介电常数、介质损耗和体积电阻率随二氧化硅含量变化进行了分析和讨论。结果表明，二氧化硅的含量在10-15％之间，介电常数、介质损耗和体积电阻率达到最大值并与纯聚酰亚胺薄膜的性能提高；二氧化硅含量进一步增加性能下降并比纯聚酰亚胺薄膜的性能有所下降，加入偶联剂能在适当提高二氧化硅含量下提高薄膜的性能。     

三种方法对GH70进行计量对比试验的分析计算

质量流量计法、容积表检尺法、轨道衡称重法(静态)三种方法中的任一种对铁路罐车所装液体进行计量均是国家有关技术规范所允许的。这三种方法的计量方式互不相同．计量结果之间存在一定的误差，为了验证三种方法的计量误差是否能满足JJF1014—1989《罐内液体石油产品计量技术规范》中规定“计量结果的误     

高压力下聚酰亚胺薄膜热激电流的研究

由于压力参数的引入可以在热激电流（TSC）测量中获得更多实用信息，故自行设计了高压力下测量TSC装置，并且用该装置测量了聚酰亚胺（PI）薄膜在不同压力下的TSC谱和恒温下降低压力时的压激电流（PSC）说，结果表明：在相同条件下极化的样品，随着压力的增加，其热激电流峰移向高温，压力因素显著地影响聚酰亚胺薄膜的松驰参数。     

电子雷管起爆技术研究进展与发展建议

电子雷管提高了延期精度以及起爆网路设计的灵活性，可实现“生产-运输-储存-使用”全生命周期安全管控，成为民爆行业重点发展方向。本文从产品结构、应用场景、智能化水平、爆破设计理论、拒爆失效机理等方面着手，梳理了电子雷管起爆技术的发展现状，总结了系列化和标准化、智能化、短延时设计、大规模起爆网路等技术发展趋势；结合工程应用实践，凝练了复杂环境下拒爆现象频发、爆破应用研究脱节、产品类型单一、标准体系不健全等电子雷管起爆技术与应用问题。着眼民爆行业发展需求，提出了电子雷管起爆技术的重点研究方向：电子雷管精确延时控制爆破破岩理论，信息技术与电子雷管起爆技术融合，差异化的电子雷管产品体系，电子雷管标准体系。     

一种压力试验增压装置的设计

本文提出了一种压力试验增压装置的设计，并着对对其中的重要部件增压缸进行了理论强度校核计算，为该装置的加工制造提供理论依据。压力测试设备尤其是是老设备的配备了本增压装置后，基本以满足目前国内压力容器性能试验中压力试验的要求。     

二氧化硅改性热固性聚酰亚胺介电性能研究

以甲基三乙氧基硅烷为无机前驱体制取二氧化硅,并合成了二氧化硅改性热固性聚酰亚胺复合材料。利用美国Agilent4294A型精密介电频谱仪测定材料的介电常数（ε）和介质损耗因数（tanδ）,用自制的耐电晕测试设备测试了耐电晕时间,采用CS2674C配套耐压测试仪测试了其介电强度,以及漆膜附着力。结果表明,随着无机二氧化硅掺杂量的增加,介电常数和介质损耗因数都呈上升趋势,介电强度均高于有机硅浸渍漆标准（JB/T 3078-1999）;当二氧化硅掺杂4%时,耐电晕时间为36.8 h,是掺杂前的7.3倍,附着力良好,为一级。     

二氧化硅/聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备与性能研究

采用溶胶-凝胶法,以苯基三乙氧基硅烷（PTES）为前驱体制备了氧化硅溶胶,并以均苯四甲酸二酐（PMDA）和4,4’-二氨基二苯醚（ODA）为原料,用原位生成法制备了一系列不同掺杂量（质量分数）的PI/SiO2复合薄膜。分别采用热失重分析仪（TGA）、扫描电镜（SEM）、耐电晕测试装置和耐击穿测试装置对薄膜的热性能、电性能进行了测试。结果表明,掺杂量为15%时纳米氧化硅粒子在PI基体中分散均匀,掺杂量为10%,热分解温度达到最大值,并且在工频50 Hz,场强为60 MV/m的室温条件下,掺杂量为15%时复合膜的耐电晕时间最长为55.73 h,电气强度为327 MV/m高于纯膜。