缓冲层用于改善硅基氮化镓外延薄膜质量

介绍了GaN材料的基本特性及重要意义,讨论了在Si衬底上外延GaN的可取之处以及存在的主要问题。详细阐述了各种不同材料以及不同结构的缓冲层应用于MOCVD方法在Si衬底上外延GaN,及其所取得的最新成果。对缓冲层降低应力的机制进行了说明。     

人工蛋白石光子晶体制备技术及改性研究进展

人工蛋工白石是一种极有前途的三维光子晶体带隙材料，介绍了二氧化硅人工蛋白石光子晶体在制备方面的研究进展及其改性研究的发展现状。     

入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响

利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析。计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式。分析了从空气和Al_(0.4)Ga_(0.5)In_(0.1)N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异。为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构。分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势。     

MEH-PPV多层结构器件的制备及其谱红移和窄化

研制了一种基于ITO／PEDOT／P—PPV／MEH—PPV／PFO／Ba／Al的多层结构器件，实现MEH—PPV发光峰的窄化和红移。该器件使MEH—PPV发射峰的半高宽（FWHM）由纯MEH—PPV单层的91nm减小到32nm，发光峰相对于MEH—PPV单层的582nm红移了20nm，相应的色坐标（CIE1931）由单层的（0．56，0．33）变为（0．62，0．38）。这种窄化和红移归为聚合物多层界面间的共混稀释效应。     

发光二级管照射对腰部理疗作用分析

发光二级管照射对腰部理疗的临床试验，并对理疗效果进行了分析。设计发光二极管阵列，通过理疗部位的调整，可以对与腰部相关的病症起一定的理疗效果。     

ZnSe-ZnS应变超晶格的质量鉴别

本文报道一种鉴别ZnSe-ZnS应变超晶格质量的方法——低密度激发下的光致发光.文中讨论了ZnSe-ZnS应变超晶格的深中心发射是否受到抑制,与其结晶质量有着强烈的依赖关系.当阱宽、垒宽小于它们的临界厚度时,深中心发射能被大大抑制.这种鉴别 ZnSe-ZnS超晶格质量的方法,比看激子峰半高宽可以更灵敏地了解超晶格的质量.     

Ce∶YAG荧光玻璃的制备与光学性能

用Na2O-Li2O-Al2O3-B2O3-SiO2硼硅酸盐体系的低熔点玻璃作为基质玻璃,采用两步熔融法制备了Ce∶YAG荧光玻璃.利用SEM,EDS和荧光光谱仪对样品进行了显微结构和光学性能分析.实验结果表明:样品由玻璃基质和Ce∶YAG晶粒组成,晶粒均匀地分散在硼硅酸盐玻璃基质中;样品在340和460 nm处有两个激发峰,发射光谱在533 nm处有一宽峰,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射.Ce∶ YAG荧光玻璃是一种可用于白光LED的新型荧光材料.     

AlN/蓝宝石模板上生长的Al_(0.6)Ga_(0.4)N薄膜结构与光学性能研究

采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分Al0.6Ga0.4N薄膜,并采用高分辨率XRD(HRXRD)及阴极荧光(CL)方法对其进行了表征.结果表明,AlGaN薄膜产生了相分离,其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率.     

LP-MOCVD生长InGaAlP双异质结中In组分控制的研究

根据已经发表的有关文献实验数据 ,针对InGaAlP发光材料的LP -MOCVD生长 ,给出了描述In组分偏离的经验表达式 ,可应用于InGaAlP双异质结生长中In组分的控制     

一种计算异质结价带与导带阶跃的简便方法

利用带隙经验公式、LCAO方法以及韦加定律，提出了一种计算AlGaInP异质结价带与导带阶跃的方法。该方法具有简便、精确和实用的特点。