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孔缝双桥结构高性能压阻式加速度传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
针对装备智能化与监测系统无线化发展对振动传感器的要求,基于微机电系统和应力集中技术,提出并研制一种具有孔缝双桥结构的高灵敏度、高固有频率的压阻式微型加速度传感器。结合理论分析与数值计算方法,分析该结构的特性,通过研究孔缝尺寸对传感器性能的影响确定传感器敏感结构尺寸。传感器芯片采用微细加工工艺制作,并在简单的封装之后进行静态、动态性能测试。试验结果表明,孔缝双桥结构加速度传感器在3 V供电电压下,灵敏度可达到0.424 mV/g,相对传统双桥结构提高了60%以上,而测得的固有频率相对于传统双桥结构仅略有下降,仍在10 kHz以上。孔缝双桥结构加速度计通过引入应力集中孔缝,以较小的固有频率损失,明显提高了传感器的测量灵敏度,具有更为优良的综合性能。 相似文献
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43.
一种基于微弯效应的光纤液位传感器的研制 总被引:2,自引:1,他引:1
研制了一种用于测量储油罐油位的光纤传感系统,介绍了完整的研制过程。传感头是利用光纤的微弯效应制成的压力传感器,用耐油铝塑管对光纤和传感头进行封装。样机实测显示,最大非线性度为2.9%,灵敏度为14.5mV/l0.8mV/kPa。本系统结构简单,成本低廉,非常适用于要求防燃、防爆和耐腐蚀等场合的液位测量。 相似文献
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数字正交调制器在脉冲多卜勒雷达杂波信号模拟中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
杂波信号是频谱关于零多卜勒不对称的非平稳随机信号,在实验室仿真时,需要将时域信号搬移到中频或射频上,为了得到较高的镜频抑制制度,文章提出了数字正交调制(DQM)的方法,以取代传统的性正交调制器(LQM),文中对其实现原理进行了阐述。 相似文献
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The bottom-gate structure ZnO based thin film transistors (ZnO-TFTs) using Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7 (BZN) thin films as gate insulator were fabricated on Pt/SiO2/Si substrate by radio frequency magnetic sputtering. We investigated the effect of annealing temperature at 300, 400, and 500℃ on the performance of BZN thin films and ZnO-TFTs. XRD measurement confirmed that BZN thin films were amorphous in nature. BZN thin films annealed at 400℃ obtain the high capacitance density of 249 nF/cm2, high dielectric constant of 71, and low leakage current density of 10-7 A/cm2 on/off current ratio and field effect mobility of ZnO-TFTs annealed at 400℃ are approximately one order of magnitude and two times, respectively higher than that of ZnO-TFTs annealed at 300℃. When the annealing temperature is 400℃, the electrical performance of ZnO-TFTs is enhanced remarkably. Devices obtain a low sub-threshold swing of 470 mV/dec and surface states density of 3.21×1012cm-2. 相似文献
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针对电学原理的加速传感器在大温差、高电磁干扰的环境中的使用受限制,以及二氧化硅等无机材料制作的多模干涉器韧性差、折射率调节困难、尺寸较大等问题,提出了聚酰亚胺波导材料的多模干涉器结构集成光学加速度传感器。在外力作用下多模干涉器的输入/输出光场与干涉区会产生相对位移,导致各模式激励系数发生改变,通过输出场强的变化测得加速度。利用束传播法分析多模干涉结构以及环境温度与波导输出性能关系,以及有限元法分析力学结构对传感器性能的影响,结果表明这种传感器具有加工冗余度高、温度稳定性高和线性度较好等优点。 相似文献
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