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981.
以CS2、芳胺和CdC l2为原料,采用液相原位沉淀法,50℃下,在水-三乙醇胺〔V(水)∶V(三乙醇胺)=1∶1〕溶剂中合成了苯环带4-(氢、甲基、甲氧基、氯、羧基)及3-硝基等的N,N′-二芳基硫脲(DATU)/CdS有机-无机复合材料,通过SEM、TEM、XRD、FTIR、TG、UV-vis、PL等对产物形貌、结构和光学性能进行了表征。结果表明,DATU/CdS复合材料可以形成表面粗糙、分散均匀的纳米球,且含吸电子基的芳基硫脲能够有效阻止CdS粒子的聚集,提高粒子的分散性及使硫化镉的紫外吸收更大蓝移。DATU与硫化镉间存在较强的相互作用,该作用可以提高DATU在复合材料中的热稳定性,并明显增强硫化镉粒子529 nm处的PL发射峰。 相似文献
982.
目的观察比较手术室实施舒适护理干预后的效果情况。方法选择我院近年来收治的80例择期手术病人,随机分为干预组与对照组各40例,干预组采取舒适护理方法,对照组不给予舒适护理。结果2组患者经护理干预后的生命体征比较,经统计学处理,干预组较对照组有显著性差异,有统计学意义(P<0.05)。结论手术室实施舒适护理干预后,有助于维持患者生命体征的稳定,减少术后并发症的发生,提高了护理服务质量,降低了护患纠纷。 相似文献
983.
984.
985.
超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进 总被引:1,自引:0,他引:1
通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界面质量有着重要的意义。 相似文献
986.
987.
李娟 《太赫兹科学与电子信息学报》2010,8(1):71-75
针对连续相位调制(CPM)信号信噪比估计子空间分解算法运算量较大和最大似然估计(MLE)算法信噪比小于0dB时精确度差的问题,提出了一种精确度较高的快速算法。该算法是对常用的最大似然算法的改进,利用接收信号的统计和互相关特性,无需获得信号的初始相位,便可快速准确地估计出信号的信噪比。信噪比在-20dB~20dB之间时,估计误差小于1dB。MATLAB和FPGA仿真验证了该算法的有效性。 相似文献
988.
989.
990.
随着国民经济的高速发展及能源消费的快速提升,能源匮乏和环境污染问题日益严重,人们越来越渴望使用环境友好而又可再生的能源。氢能是一种来源丰富、绿色低碳、应用广泛的二次能源,可作为电能、热能的有益补充,形成多元互补融合的现代能源供应体系。但中国氢能技术起步较晚,氢电能量转化中的电解水制氢和氢燃料电池部分关键材料长期依赖进口,亟需完成国产化替代。无机非金属材料具有高化学/电化学稳定性、高强度、耐高温等特性。本文综述了其在氢电能量转化器件中催化剂及载体、离子交换膜、扩散层、双极板等领域的研究进展及亮点,指出了氢电能量转化材料发展中存在的问题,并对未来研究方向做出了展望。 相似文献