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51.
InGaAs短波红外探测器 总被引:4,自引:0,他引:4
与InP衬底晶格常数相匹配的In0.53Ga0.47As材料能够制作出高质量的光电探测器,可工作在室温或热电制冷条件下,光响应谱范围为0.92~1.7μm,具有高达80%以上的量子效率.通过对InGaAs探测器芯片平面和平台式结构的分析,以及InGaAs芯片和HgCdTe芯片的性能测试、比较,充分证明了InGaAs材料芯片的优越性及研制在室温下工作的高性能InGaAs探测器的可行性.对InGaAs芯片相对光谱特性的测试表明,InGaAs材料温度响应重复性较好. 相似文献
52.
接收端码元速率的估计,有助于获取信号调制规律,便于信号正确解调。以π/4-QPSK为例,在解决小波变换尺度优化选取和基带快速提取的难点的同时,旨在运用小波变换估计信号码元速率。具体方法是利用QPSK相位跳变发生在码元周期交替处的特点和Haar小波的相位特点,使小波变换系数极大模值出现在码元速率整数倍处;根据极大模值构造出同频率冲激序列,从其功率谱图上估计码元速率。经Matlab仿真,的确能估计出信号码元速率为500B。该方法所得估计值受噪声变化影响甚微,且在一定范围内小波变换尺度越大,分析效果越好。 相似文献
53.
根据相对论返波管(RBWO)的非线性理论,数值模拟了耦合阻抗单步跃变型RBWO效率与束流参量、耦合阻抗跃变位置、高低耦合阻抗比值的依赖关系,结果表明器件最优化效率可达到50%.设计制造了一个X波段高功率耦合阻抗单步跃变型RBWO,运用全电磁粒子模拟程序仿真了器件中注波互作用过程,预见出器件功率、效率、频率等性能参量.在电子注电流、注加速电压、互作用区长度相同的实验条件下,测得变阻抗器件实验效率约为均匀阻抗型器件效率的2倍. 相似文献
54.
怎么更换E680的主题呢?很多刚拿到E680的玩家都会问.虽然E680可以安装大至1GB的SD卡有足够大的内存.但是用数据线把E680和电脑相连,根本看不到E680内部的系统文件,即使用手机的文件管理工具也看不到。要想用电脑管理E680的主题难道只是一个想法?不是,可以借助微软的Telnet服务可以使用远程登录的方式到E680系统编辑文件。 相似文献
55.
研究了一种基于紫外厚胶SU-8的亚毫米探针的加工工艺,通过溶液间的界面张力形成微球,再由深紫外光刻形成微柱。这种新技术利用紫外LIGA技术替代较为复杂昂贵的深反应离子刻蚀(DRIE)技术,使用甘油补偿紫外胶与空气之间的折射率差,使紫外光透过微球后依然可以曝光厚达几百微米SU-8胶形成微柱,并且提出原位放大接触点的对准方法,实现了微球与微柱的同轴。最终实现高深宽比的探针结构,可以作为关键部件应用于三坐标测量机。由于此工艺与传感器工艺相容,探针可以直接制作在集成了传感器的测头基底上,大幅减少了装配误差。 相似文献
56.
59.
介绍了GSM数字移动通信系统可提供的各种电信业务。GMS网络除了用于电话通信之外,还可以用于数据通信,它新颖的补充业务和独具一格的短信业务使移动通信更加完善。 相似文献
60.
从理论上探讨了磁阻率效应,叙述了精密角位移传感器的工作原理及结构设计。传感器的分辨率已达0.01°,通过可靠性寿命试验,传感器的失效率λ(t)<1×10-7/h。 相似文献