新型PSOI LDMOSFET的结构优化

针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOI LDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻.PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8～3×101 2cm-2.对结构优化的PSOILDMOSFET进行了开态输出特性模拟,输出特性曲线没有曲翘现象和负导现象,开态击穿电压可达到1 6V,器件有源区的温度降低了50℃.结构优化有利于提高器件性能和降低器件的开发成本.     

CPU-80C86电路对EMP的敏感性研究

本文介绍了对CPU类超大规模集成电路(VLSI)首次进行的EMP效应的敏感性模拟试验，并简单描述了电磁脉冲方波注入对80C86CPU电路产生的干扰情况。     

新型的L80C86 CPU电路电磁脉冲试验方法

介绍了一种新型的CPU类器件的EMP效应模拟试验方法，通过比较脉冲前后测量波形及CPU寄存器存数的变化，能够更科学地反映电磁脉冲对CPU类电路的影响，得到的结果客观、准确。     

带RAM的L81C55并行接口电路和研制

简介了Ｌ８１Ｃ５５的主要功能和制造工艺，并论述了ＭＯＳ管阈值电压ＶＴ的调整和输入输出级的设计。     

SEU的二维数值模拟

本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行了简要介绍。运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-On-Insulator)衬底材料进行CMOS SRAM的SEU(Single -Event Upset)模拟实验,得出实验结果,并对实验结果进行分析,证明了SOI材料有良好的抗辐射加固特性,体现出SOI材料的优越性。     

热氮化SiO_2薄栅绝缘膜工艺

用热氮化法对热生长 SiO_2膜进行氮化处理,得到硅的氮氧化物膜,与热生长SiO_2相比,有着十分显著的优越性。膜厚小于300(?)时,氮氧化物膜仍具有相当低的缺陷密度和低场击穿几率。同时氮氧化物膜也具有良好的 MOS 结构稳定性。因此,当MOS VLSI 要求栅绝缘膜厚度小于300(?)时,用氮氧化物膜代替热生长 SiO_2膜,对减小器件尺寸,消除短沟道效应,提高器件的性能、可靠性和成品率,都有着十分重要和积极的作用。本文将对氮氧化物膜的制备工艺,以及薄膜的特性作一介绍。