容量分析法测定硅酸钠

在硅酸钠的分析中涉及到氧化钠、二氧化硅含量的测定。本文主要介绍了用硅氟酸钠容量分析法测定二氧化硅含量的方法,并进行了测量条件的选择。本法测定的准确度较高,与国家标准法(GB-4209-84)相比,具有终点明显、精密度好的特点,因而可用于生产实践。     

三网融合背景下广电发展策略

三网融合的新形势给广电行业的发展带来了新的机遇和新的挑战.在国家“三网融合”的大背景下,广电发展充满着变数与博弈.大力发展广电新媒体,促进新老媒体的“相互融合、相互促进、共同发展”,是目前广电发展改革之路的新目标.如何通过改革来武装自己,如何来迎接新的挑战,如何把握好新的机遇是一个值得思考和共同探讨的重要课题.面对三网融合,我们必须要用创新的理念、推动网络和技术的革新,借三网融合的契机而形成我们自己的核心竞争力.     

从劲舞风波看韩国公司的合纵连横计

最近几个月,无论是九城还是久游网,为了一个<劲舞团>,都多少有点闹心.九城是得而复失,原本一个借"机"下蛋的好买卖,最终竹篮打水一场空,成了镜花水月.久游网是失而复得,本来归属权很明了的一个游戏就因此变得多少有点悬念.而就在这失而复得的空档中,久游网暂停了上市日本的计划,闹出了和韩国T3公司之间所谓的账务纠纷,闹得沸沸扬扬.虽然它一再澄清,但名誉有些受损,经济受困.尽管最后总算拿回了失去的东西,也将恢复在日本的上市计划,但中间的一番波折已经让久游网承受了太多压力和冲击.     

浆料滤水性能的研究

本文从定量、温度、打浆度三方面 不同浆料的滤水性能，结果表明：滤水时间定量的增加呈直线上升，直线的斜率与浆种和打浆度有关；滤液温度提高，滤水时间降低；浆料的打浆度与滤水时间之间不存在必然关系。     

背减薄过程中面阵探测器形变研究

为提高Insb面阵探测器的探测率,需要借助背减薄工序把Insb光敏元芯片从300tzm减薄到10μm,这一过程通常决定了面阵探测器的成品率。为了解面阵探测器在背减薄工序中的形变规律,针对典型器件结构,借助ANSYS软件,基于等效建模思路,建立了适用于Insb面阵探测器的三维结构模型,调整Insb光敏元芯片厚度,模拟探测器形变特征及分布随背减薄工艺实施过程的变化规律。模拟结果表明:当InSb光敏元芯片较厚时,面阵探测器的整体形变以弯曲变形为主,其中心区域上凸明显;随着InSb光敏元芯片逐步减薄,其中心区域的上凸变形逐步弱化,当InSb光敏元芯片厚度减薄到12μm时,探测器上表面屈曲变形占优,且随着Insb光敏元芯片厚度的减小而愈加清晰可见,此时探测器整体弯曲变形很弱。     

热湿存储环境下须状晶体的生长机理与影响因素

纯哑锡表面的晶须特性已经成为IC封装中无铅焊接工艺实施的主要影响因素之一。由于其它替代方法,例如预先在引脚上镀Ni/Pd/Au层,会导致成本无法预估以及可靠性下降等问题,因此,目前的关注点是进一步减少纯锡表面须状晶体的生长。     

静电电子工业的隐形杀手

随着科学技术的飞速发展,电子、邮电通讯、航天航空等高新产业的迅速崛起,尤其需求电子仪器仪表和设备等电子产品日趋小型化,多功能及智能化。 高密度集成电路(HIGH DENSITY IC已成为电子工业对上述要求中不可缺少的器件。这种器件具有线间距短、线细、集成度高,运算速度快,低功率,低耐压和输入阻抗高的特点,因而导致这类器件对静电越来越敏感,称之为静电敏感(ESDS)器件。     

平行耦合微带线带通滤波器的多步法优化设计

提出一种通过提升设计频率来解决平行耦合微带带通滤波器中边缘场效应导致的中心频率偏移的方法。同时分析了导致这种偏移的原因,并阐述了该方法的理论基础。给出的实例证明,在使用微波软件设计平行耦合微带线带通滤波器时,这种方法是简洁且可行的。     

某运营商专线业务传送网建设方案研究

随着运营商进入全业务时代,竞争日趋激烈.传统语音业务用户数量和收入增长日趋减缓的情况下,三大运营商纷纷将目光瞄向了集客专线业务.专线业务是业务创新和新技术应用的重要通道和平台,是保持业务收入增长的源泉.本文对某运营商专线业务进行分类,并对传送网建设方案进行研究.