云计算国内外发展现状分析

需求驱动、技术驱动和政策驱动三大驱动力给云计算的发展提供了极大助力。本文首先介绍了国内外云计算生态环境的发展现状,分析了云计算业务模式,最后给出了云计算的发展趋势。     

多通道数字助听器算法及低功耗VLSI设计

改进了多通道数字助听器中的听力补偿和噪声消除算法,并进行了低功耗VLSI设计.听力补偿方面,提出一种改进的多通道宽动态范围压缩(WDRC)算法;该方法降低了存储和计算开销,并抑制了对残余背景噪音的过度放大.噪声消除方面,利用语音谱和噪声谱的帧间相关性,改进了传统的多子带谱相减算法,使之在硬件实现时便于并行运算,同时不影响消噪性能.最后,综合采用多种低功耗设计方法,在SMIC的130nm工艺条件下,完成了基于上述算法的多通道数字助听器VLSI设计.后仿结果表明,该设计总功耗仅为228μW.     

随机测试程序发生器的设计与实现

随机测试程序生成技术是当前处理器功能验证中一项重要的支撑技术.本设计面向一种专用指令集处理器FlexEngine,在指令集模型建立时,按功能分类,实现对处理器关键单元的选择性测试;引入ISS对指令执行的动态数据分析,增加了寄存器数据范围监控、死循环预警等指令约束.实验结果表明,本设计的选择性测试功能,能够在3000条程序的测试长度下,对关键模块达到超过90%的覆盖率,有效提高了测试效率.     

中国联通数据中心SDN的研究及实践

以数据中心SDN为主要关注点,在分析中国联通数据中心的现状、发展趋势、与互联网数据中心的不同后,介绍近年来中国联通SDN的实践工作。     

面向亚阈值的脉冲生成电路设计

基于SMIC 130nm工艺,提出了一种新的面向亚阈值的脉冲生成电路.设计中采用三输入与非门作为延时单元,更好地平衡单元的上拉延时和下拉延时,提高了延时路径的稳定性.新结构脉冲生成电路功能不受工艺偏差和温度变化的影响,在0.3V工作电压,不同工艺角以及-40~125℃温度范围内都能生成稳定可靠的脉冲信号.     

单脉冲飞秒激光作用下晶态GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程

利用飞秒激光的抽运探测技术，研究了单脉冲飞秒激光作用下GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程，测量了相变薄膜的时间分辨光学显微图。所研究的系统为多层薄膜结构100 nm ZnS-SiO2/ 35 nm GeSb2Te4 /120 nm ZnS-SiO2/0.6 mm ，飞秒激光的脉冲宽度为108 fs，波长为800 nm。实验发现相变薄膜从晶态至非晶态的相转变过程可以在 2.6 ns内完成。讨论了相变薄膜的厚度对系统的热传递、快速凝固过程的影响，分析了相关热过程和热效应，解释了抽运探测实验数据，并探讨了单脉冲飞秒激光诱导相变薄膜非晶化的机制。     

WiMAX 业务定位与运营考虑

近年来，随着电信市场的开放和通信与信息技术的快速发展，各种高速率的宽带接入不断涌现，而宽带无线接入系统凭借其建设速度快，运营成本低，投资成本回收快等特点，受到多方关注，在高速Internet接入，信息家电联网，移动办公，军事，救灾，空间探险等领域具有广阔的应用空间。[编者按]     

表面析晶对熔融石英微波介电性能的影响

采用传统固相烧结法制备了熔融石英微波介质材料,研究了表面析晶对材料物相组成、表面形貌及微波介电性能的影响。结果表明:材料从1 250℃开始析出方石英,且其析出量随烧结温度的升高而增多。当烧结温度低于1 300℃时,方石英析出量较少,表面析晶对材料微波介电性能影响不大,其介电性能主要随体积密度的增加而提高;而烧结温度超过1 300℃后,方石英析出量显著增加,引起材料内应力增大,使其表层裂纹加深甚至剥落,导致材料性能下降。经1 300℃烧结3 h所制材料具有最佳的微波介电性能。     

SDN应用及北向接口技术研究

SDN北向接口是通过控制器向上层业务应用开放的接口,其目标是使得业务应用能够便利地调用底层网络资源和能力。文章首先介绍SDN北向接口的功能、分类及实现案例;进而以云计算资源管理平台为例分析SDN应用;最后在OpenStack开源框架下提出虚拟机迁移网络策略同步跟随场景的实现方案。