基体温度对钛膜表面形貌和力学性能的影响研究

应用电阻蒸发镀膜方法在钼基体表面沉积钛膜。采用X射线衍射仪（X-ray Diffraction,XRD）对钛膜的物相进行表征,获得钛膜的择优取向;采用扫描电镜（Scanning Electron Microscope,SEM）和原子力显微镜（Atomic Force Microscope,AFM）对钛膜的表面形貌进行表征,获得钛膜的晶粒尺寸分布情况及表面粗糙度;采用AFM纳米压痕技术对钛膜的力学性能进行表征,获得钛膜的弹性模量。结果表明：基体温度对钛膜的微观结构及力学性能有重要影响,在600～750℃范围内,随着基体温度的升高,钛膜晶粒取向的主要影响因素由应变能变为表面能,钛膜的择优取向由（101）变为（002）;基体温度的升高增强了基体表面钛原子的扩散能力,钛膜的平均晶粒尺寸、粗糙度及弹性模量均随基体温度的升高而增大。     

变压器中初次级线圈对电容分压信号的影响

在小型脉冲变压器中,常采用分布式电容分压器实现输出电压的实时监测,但实际的测量波形存在畸变,为此根据变压器电容分压等效电路模型,结合ANSYS软件进行有限元仿真计算,分析了脉冲高电压变压器中分布式电容分压器输出信号的主要贡献源及影响程度;用频率响应法测量计算电容分压输出信号的结果表明:分压输出信号中,感应至初级线圈的信号约占24%,初级线圈对电容分压信号的影响较大,是一个重要的干扰源。针对以上结果,利用ANSYS软件进行结构优化,提出了降低初级线圈影响的方法。     

大电流放电条件下气体火花开关电性能研究

针对钼、钨铜合金和钨3种主电极材料的气体火花开关,进行大电流放电实验,研究气体火花开关电性能随放电次数的变化规律。结果表明,随放电次数增多,气体火花开关的击穿电压呈现逐渐下降趋势,下限工作电压逐渐升高;实验后开关电极表面形成了大量裂纹、烧蚀坑和突起等烧蚀特征。对比3种开关可知,在多次放电过程中钨开关的电性能较稳定,开关工作寿命最长;钼开关电性能参数波动较大,且开关在实验后期失效,开关寿命最短;钨铜合金开关的下限工作电压值偏高,且波动较大,击穿电压较稳定,开关寿命较长。因此可优先选用具有优异抗烧蚀性能的钨作为长寿命气体火花开关电极材料。     

小型石油测井中子管的参数测试

小型石油测井中子管的各项参数在评价中子发生器的性能中有重要的作用。本文对中子管的电气特性、性能评价方面作了介绍 ,并对中子管的贮氘器性能、离子源的电离状况、出中子参数、靶流和高温性能的影响进行了较详细的测试 ,得出了一些有用的结论。     

基于PIC12XX的精确延时技术

PIC12XX单片机由高性能R ISC(精简指令集计算机)结构的CPU、存储器、I/O接口和复位电路等组成,具有实用、低价、易学、省电、高速和体积小等特点。基于该单片机的特点,将其应用到时间的延时技术中,可实现任意时间的较高精度延时。本文就基于PIC12XX技术的精确延时进行了具体分析。     

带伴随粒子中子发生器研制

为研制带伴随α粒子法检测隐藏爆炸物,我们研制了外形尺寸为Φ76 mm×1100 mm的中子发生器,采用中子管离子源加高压,靶接地的设计方式,便于安装α粒子探测器.靶与束流入射方向成45°角,以便探测器接收更多的α粒子,提高探测效率.试验测试表明,中子产额在3×107n/s-5×107n/s范围,中子发生器稳定工作已超过...     

d-T和d-D中子产额的可视化计算

开发了一种用于计算d-T和d-D中子产额的计算机程序,并对程序所涉及的相关物理问题以及可视化界面、程序流程和功能特点进行了介绍.     

潘宁离子源中电磁场和气压对氢气电离的影响

分析了冷阴极潘宁离子源中氢的碰撞电离过程，定性讨论了电磁场强弱、压强大小对氢电离的影响，并阐述了电极材料的特性及选用方法，可为设计小型潘宁离子源部件提供参考依据，对提高潘宁离子源工作稳定性具有一定的实际意义。     

陶瓷/金属焊接应力的数值计算与分析

陶瓷/金属焊接过程中容易产生残余应力,将影响到产品的可靠性.应用薄壳理论推导的理论公式对典型焊接结构的应力分布进行了理论计算,同时应用ANSYS有限元分析软件对该结构的应力进行了数值计算.结果表明理论计算与有限元分析结果一致,同时ANSYS可以给出详细的应力分布,完全可以应用于陶瓷/金属焊接的应力计算.     

中低能质子致金属氘化物二次电子发射系数研究

测量了中低能质子致氘化钛和氘化锆二次电子发射系数。结果表明,20 n A/cm2束流下各二次电子发射系数与其电子能损近似成正比,比例因子Λ较Sternglass理论值偏大约50%,表面吸附层影响二次电子发射系数。束流密度为7μA/cm2的100 ke V质子束长时间测量时,二次电子发射系数γ和正比例因子Λ在前100 s内快速下降并逐渐稳定至理论值。