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Silicon nanowire arrays(SiNWAs) are fabricated on polished pyramids of textured Si using an aqueous chemical etching method.The silicon nanowires themselves or hybrid structures of nanowires and pyramids both show strong anti-reflectance abilities in the wavelength region of 300-1000 nm,and reflectances of 2.52%and less than 8%are achieved,respectively.A 12.45%SiNWAs-textured solar cell(SC) with a short circuit current of 34.82 mA/cm2 and open circuit voltage(Koc) of 594 mV was fabricated on 125×125 mm2 Si using a conventional process including metal grid printing.It is revealed that passivation is essential for hybrid structure textured SCs,and Koc can be enlarged by 28.6%from 420 V to 560 mV after the passivation layer is deposited.The loss mechanism of SiNWA SC was investigated in detail by systematic comparison of the basic parameters and external quantum efficiency(EQE) of samples with different fabrication processes.It is proved that surface passivation and fabrication of a metal grid are critical for high efficiency SiNWA SC,and the performance of SiNWA SC could be improved when fabricated on a substrate with an initial PN junction. 相似文献
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[目的]研究叶类蔬菜对土壤中重金属的敏感性,为减少蔬菜重金属污染提供理论依据.[方法]采用盆栽试验种植油麦菜、小白菜、生莱3种叶类蔬菜,加入外源重金属Cu、Zn、Pb使土壤达到试验预设浓度值,室内测定重金属Cu、Zn、Pb在蔬菜体中的含量变化.[结果]蔬菜中重金属含量与土壤中重金属含量密切相关,相关系数多为0.91~0.95,并随土壤中重金属总量的增加而增加;3种叶类蔬菜中,小白菜对重金属富集能力最强,富集系数最高,达0.51,是最敏感的蔬菜;蔬菜对Cu、Zn的富集能力明显高于Pb;西安市南郊蔬菜基地土壤符合国家土壤环境质量一级标准,土壤中Cu、Zn、Pb的环境剩余容量值分别为:59.2、205.8、3.2 mg/kg,Pb元素已接近阈值.[结论]应根据不同蔬菜品种对重金属富集能力的差异,合理进行蔬菜的生产布局,可在重金属污染较严重的区域种植一些对重金属富集能力低的蔬菜品种. 相似文献
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The effect of the annealing time and annealing temperature on Ni/Ge/Au electrode contacts deposited on the n-type InP contact layer has been studied using a circular transmission line model. The minimum specific contact resistance of 3.210 7 cm2was achieved on the low-doped n-type InP contact layer with a 40 s anneal at 425 ℃. In order to improve the ohmic contact and reduce the difficulty in the fabrication of the high doped InP epi-layer, the doping concentration in the InP contact layer was chosen to be 51018cm 3in the fabrication of transferred electronic devices. Excellent differential negative resistance properties were obtained by an electron beam evaporating the Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au composite electrode on an InP epi-layer with a 60 s anneal at 380 ℃. 相似文献
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针对混响室线性扫频频率搅拌方式下的扫频间隔与搅拌带宽选取问题,在分析扫频搅拌混响原理的基础上,根据混响室测试常用的“过采样”原则与独立样本数的计算公式,给出了扫频间隔选取的上限值;并从测试精度的角度出发,利用电场均值置信区间与独立样本数之间的关系,得出搅拌带宽下限值附近独立样本数的最低要求.在某大型混响室内,通过对200 MHz、500 MHz及1 GHz起始频率下的测试数据进行处理,验证了选取方法的合理性,并得出随频率升高,搅拌间隔与搅拌带宽的选取减小,非零带宽对测试结果的影响降低等结论. 相似文献
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