采用溅射法制备SrGa2S4：Ce薄膜

采用ＲＦ溅射技术制备了ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ薄膜，并获得了发射波长为４４６ｎｍ的纯蓝色发光，其ＣＩＥ色坐标为ｘ＝０．１４，ｙ＝０．０９，研究了ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ薄膜的激发谱和发射光谱，采用ＸＲＤ测定了薄膜的晶体结构，采用ＳＥＭ观察了薄膜的表面形貌，同时着重研究了后退火气氛，温度和时间对薄膜发光特性的影响。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件研究

研制了以四元系组分ＰＭＮ－ＰＴ－ＰＦＮ－ＰＣＷ陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件，对陶瓷厚膜的制备条件和制得的厚膜与器件的发光性能的关系进行主详细的研究。特别对基片要求和印刷烧制等工艺进行了探讨。     

不同溅射气体对a-IGZO TFT特性的影响

采用脉冲直流(Pulsed DC)方式和不同的单组份气体(Ar、O2、N2)溅射制作IGZO,研究了缺氧(Ar)、富氧(O2)、氧替代(N2)三种情形下的IGZO-TFT特性。通过AES、XRD、AFM等分析手段,考察了不同气体制备的IGZO膜以及相应靶材的成分及结构,发现不同的溅射气体对IGZO膜的成分比例和电学结构具有重要的影响。实验结果表明,Ar-IGZO TFT在退火后具有良好的特性,S值为1 V/dec,迁移率可达8.3 cm2/Vs,开关比Ion/Ioff≥105。     

室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装

应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物-CdSe, CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在Si衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了Si衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.     

试验机横梁移动速度的测量标准对比分析

本文通过对电子式万能试验机横梁移动速度采用两种不同测量标准进行测量的对比分析，找出影响测量结果的不确定度因素并将其进行适度量化，从而发现采用不同标准器的不同测量方式的差别，用以明确对试验机横梁移动速度参数的测量标准器选择的合理性以及测量过程的可靠性。