宁电二期1 000 MW塔式炉超大体积混凝土基础浇筑组织

国华宁海电厂二期5 号机组1 000 MW 塔式炉超大体积混凝土基础, 一次浇筑量达7 800 m3。超大体积混凝土基础浇筑的质量控制难点是防止出现施工冷缝和温度裂缝; 精确计算资源需求、保证充足的资源投入可以作为防止出现施工冷缝的主控措施; 优化配合比、保温措施、加强温度监测可以作为防止出现温度裂缝的主控措施。     

ABC 算法优化SVR 的磨损故障预测模型

摘要：为了提高故障预测的精度,针对支持向量回归(support vector machine for regression,SVR)参数选择困难 的问题,提出一种采用人工蜂群(artificial bee colony,ABC)算法优化(SVR)的故障预测模型(ABC-SVR)。该模型先 对样本数据进行重构,然后将故障预测误差(适应度)作为优化目标,通过ABC 算法寻优找到最优的SVR 参数,建 立故障预测模型。最后通过实例仿真验证了模型的优越性。仿真结果表明：ABC-SVR 模型有效解决了SVR 参数选 择难题,能够更加准确地表现故障变化规律,提高了故障预测精度。     

基于调拨方案的两级库存备件优化配置研究

针对某型装备备件供应保障存在横向调拨的情况,提出了基于调拨方案的两级库存备件优化配置方法。在建立备件两级联合库存模型的基础上,根据备件调拨方案做出相应假设,建立了支援调拨模型。结合装备保障实际和调拨方案,构造约束条件,建立两级库存系统配置优化模型,以两级库存系统缺货量最少、支援调拨量最大为优化目标,并利用遗传算法对优化模型进行求解,得到备件优化配置清单和调拨方案。算例结果表明该方法对于解决调拨情况下的装备备件优化配置问题具有良好的适用性。     

InSb焦平面探测器的发展现状与趋势

本文通过对红外技术发展历程的回顾,简要介绍了锑化铟材料的一些基本特性,通过对国外主要锑化铟材料、探测器研制生产单位的产品、性能指标的分析,归纳出锑化铟材料、探测器的主要技术路线,并对未来锑化铟材料、探测器的发展趋势进行了分析.     

基于RFID技术的武器装备维修器材可视化系统研究

面对现代空战时域、空域广阔,发生时机不确定性强,武器装备战损消耗大的局面,为达到武器装备维修器材保障快速反应和精确保障目的,研究了基于RFID技术的武器装备维修器材可视化系统建设。先从总体上介绍了RFID技术,然后重点研究了基于RFID技术的武器装备维修器材保障可视化系统的设计,主要包括系统的设计原则、功能需求、总体设计思路和基本架构;最后,研究了实现基于RFID技术的武器装备维修器材可视化系统的关键技术,为武器装备维修器材可视化保障提供了一种建设思路和方法指导。     

基于故障规律的导弹备件消耗预测

针对导弹备件消耗存在波动性而难以准确预测的问题,在分析导弹备件消耗与导弹装备故障关系的基础上,提出了根据导弹装备故障规律来预测导弹备件消耗的思路。首先建立了导弹装备故障次数灰色预测模型;然后重点从导弹故障件流程分析、故障件相关参数的确定和消耗量计算公式的推导着手,建立了导弹备件消耗预测模型。算例结果表明,基于故障规律的导弹备件消耗预测方法具有较高的精度。该方法从备件产生的根源角度分析备件的消耗,具有重要的理论意义和实用价值。     

上海集成电路设计产业现状与发展

1.集成电路设计业的战略地位电子信息产业(IT)是当今世界上最具竞争力的战略性产业,但一个国家如果缺乏自主知识产权的集成电路(IC)是不可能加速提升这个国家的 IT 产业,更不可能指望 IT 产业在国民经济和国防安全中起到战略性的基础作用。集成电路和软件已是 IT 产业发展的源头与创新的归宿,在整个电子信息产业中居于核心地位。中国大陆巨大的现实市场和潜在IC 市场要求我国必须将集成电路产业搞上去。中国IC 产业有可能这样做,也一定能这样做。20世纪90年代末,国务院《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(国发[2000]18号)出     

大面阵CMOS快照模式焦平面读出电路设计分析

针对一款大面阵(640×512元)快照模式制冷型红外焦平面用的读出电路进行了初步分析验证.该读出电路采用改进DI结构,先积分后读出的积分控制模式,像素尺寸为25μm×25μm,芯片已在0.5μm双硅双铝(DPDM)标准CMOS工艺下试制.首先对该电路结构及工作原理进行分析,并对输入级等电路的传输特性进行仿真验证,最后给出探测器阵列与读出电路芯片互连后的测试结果.结果表明该读出电路适用于小像素、大规模的红外焦平面阵列.     

重大专项政策对集成电路产业创新影响

分析了中国集成电路产业存在的问题,基于国家科技重大专项政策的科技含量高、组织规模大、自主创新和健全产业链等特点,剖析了科技重大专项政策在创新组织管理模式、引导和健全上下游产业链、引进和培养人才、政产学研用合作、建设和完善国家级公共技术研发平台等各个方面对中国集成电路产业的影响。进一步提出了如何通过将政策落脚在产业关键节点、自主创新和产业化与市场需求相结合、完善和健全重大专项监管机制、健全专项执行效果的绩效评价体系等方式推动和保障中国集成电路产业发展的措施建议。     

外延型InSb(InAlSb)探测器工艺分析

结合相关文献对近年来InSb基MBE外延InSb(InAlSb)材料工艺及器件性能进行了梳理分析和总结,对还存在的问题进行了探讨.InSb基外延材料(尤其是InAlSb)确实具有低暗电流、噪声抑制、高工作温度和温度稳定性优势,但材料中存在的较多缺陷影响了探测器的信号电流、探测率、响应率和电阻.分子(原子)氢脱氧技术、生...