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磁头表面含氟三氯硅烷自组装膜的生长机理 总被引:1,自引:0,他引:1
在磁头表面制备了1H,1H,2H,2H-四氢全氟辛烷基三氯硅烷(FOTS)自组装膜,采用X射线光电子能谱仪(XPS)、时间飞行二次离子质谱仪(TOF-SIMS)、接触角测量仪和原子力显微镜(AFM)对FOTS自组装膜进行表征,研究了自组装膜的生长机理.结果表明,FOTS自组装膜的生长经过了亚单层膜的低等覆盖,亚单层膜的中等覆盖、团聚和聚结四个阶段.其中第一层和第二层自组装膜的亚单层膜形态和生长方式不同,第一层的亚单层膜呈岛状,岛的生长是自身向外扩展;第二层的亚单层膜呈簇状,簇通过效量增加来实现生长.超薄完整的单层FOTS自组装膜(膜厚为0.8nm、Ra为0.125nm)能使磁头表面的接触角值增加,疏水性能提高. 相似文献
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BLOB数据类型存取方法的研究及应用 总被引:5,自引:0,他引:5
本文介绍了BLOB数据类型,就其在VC++开发工具上的存取实现进行了具体的论述,并且对其在其它开发环境(Visual Basic,Powqer Builder)上相关的存取方法进行了介绍和探讨。该方法在诸如医院,公安等领域的计算机系统中具有广泛的应用前景。 相似文献
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路新春 《山东大学学报(工学版)》1982,(1)
本文讨论了 CRT 显示技术的主要发展方向;研究了画面存贮容量、工作速度、接口方式等相互关联的几个关键性技术问题。在这些研究的基础上,针对一般显示器难于表现多重画面之间的层次关系和彩色的问题,提出了一种通用彩色多层次 CRT 显示器的设计方案。这种方案对于表现显示对象之间的层次关系和相对运动特别方便。实验证明这一方案是可行的。 相似文献
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化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)材料去除及负载特性主要受界面摩擦影响。对旋转型CMP系统进行了运动学和动力学分析,由此建立了CMP设备抛光界面摩擦负载(包括摩擦力矩和摩擦径向力)表达式。系统研究了CMP设备抛光头抛光盘主体结构负载特性随运动参数的变化规律,发现抛光头/盘转速比对负载影响最为明显:随转速比的增加,抛光头所受摩擦力矩增加,抛光盘所受摩擦力矩减小;且对抛光头而言存在值为1的临界转速比,当转速比小于1时,摩擦力矩对抛光头为驱动力矩;实际工况下转速比接近1时,抛光头所受摩擦力矩几乎为零,因相对运动而产生的摩擦负载主要由抛光盘承载。在此基础上,采用商用有限元分析软件建立了抛光盘及转子有限元模型,分析了抛光盘在螺钉预紧力、偏心轴向力和摩擦力矩复合载荷作用下的变形特性,为CMP装备设计提供了依据。 相似文献
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在芯片微细化和互连多层化趋势下,化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)成为集成电路制造的核心技术。针对300 mm晶圆CMP装备被极少数国外厂家垄断、国内300 mm晶圆CMP装备水平远远落后的现状,开展300 mm晶圆CMP装备关键技术研究。研制出300 mm晶圆多区压力抛光头及其压力控制系统,该抛光头具有多区压力、浮动保持环及真空吸附等功能,每个腔室均可实现施加正压、抽负压、通大气和泄漏检测;压力控制系统性能测试结果表明,该系统可实现689.5 Pa的超低压力,其精度和响应速度均能满足常规压力及超低压力CMP的要求;开发了300 mm晶圆超低压力CMP样机,创建出一套比较稳定、可靠的工艺流程,并利用该样机初步开展铜CMP试验研究。试验结果表明:抛光压力为15.169 kPa时,材料去除率达671.3 nm/min,片内非均匀性为3.93%。 相似文献
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路新春 《腐蚀科学与防护技术》1994,6(3):264-278
腐蚀磨损金属学及耐磨蚀合金初探路新春(中国科学院金属研究所九四级博士研究生,沈阳110015)本文对不锈钢腐蚀磨损中的几个金属学问题进行了研究,重点探讨了发展耐磨蚀合金的途径.首先对实际生产中国磨蚀而报废的磷酸料浆泵叶轮进行了失效分析,确认其失效原因是磨损(冲蚀)和腐蚀与磨损的交互作用,并对延长其使用寿命提出合理建议.试车结果表明,结论正确,建议合理.研制和改进了4台腐蚀磨损试验设备:稳态、暂态、往复式及料浆冲蚀.... 相似文献
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双相不锈钢在H_2SO_4+NaCl介质中的腐蚀磨损 总被引:2,自引:0,他引:2
测定了α+γ双相不锈钢在H2SO4及H2SO4+NaCl介质中的腐蚀率、磨损率、腐蚀磨损率和钝化膜破坏后的修复时间,研究了磨损表面的硬度变化及摩擦系数的变化规律,观察了磨痕及磨屑形貌等.实验表明氯离子对双相不锈钢腐蚀磨损的影响与磨损表面的脆性剥落有关. 相似文献