NIST Chemistry Webbooks数据库的批量查询和数据采集

NIST(The National Institute of Standards and Technology)Chemistry web Books(即美国国家标准与技术局化学数据库)是提供各种化合物化学和物理性质的免费查询数据库。作者简单介绍了NIST网上化学数据库Chemis-try Webbooks的查询语法。并根据自己的使用经验用示例详细介绍了自己开发的NIST数据库的批量查询和数据采集软件。成功地解决了NIST不能批量查询，及查询后有效数据的自动采集问题。     

区域可持续发展决策支持模拟系统研究

本文先给出区域可持续发展指标体系；讨论了区域可持续发展决策支持模拟系统及其组成部分，给出区域可持续发展决策支持模拟系统的总体构架，数据库、模型库管理系统及其设计。最后以广州市为例，给出可持续发展决策支持模拟系统的使用效果。     

薄膜晶体Si太阳电池的潜力

如果效率和成本这两个“目标”能够达到，薄膜晶体Si太阳电池有可能替代目前在光伏市场上占主导的多晶Si太阳电池。[第一段]     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]     

聚苯醚磺酸锂／共聚醚复合物的离子导电性研究

合成了３种不同磺化度的聚苯醚磺酸锂（ＳＰＰＯＬｉ）与Ｐ（ＭＥＯ１６－ＡＭ）／ＳＰＰＯＬｉ复合物。研究了复合物的离子导电性与磺化度，组成比及增塑剂含量的关系。含４０％（ｍａｓｓ）增塑剂的复合物具有单离子导电特征，锂离子迁移数高达０．９７，室温电导率达２×１０－５Ｓ／ｃｍ。     

高料层操作时烧结矿FeO含量的降低

最近正在Ｋｕｒｅ１号烧结机上进行厚料层作业。在厚料层作业开始之前，我们进行了不同料层高度下的烧结杯试验，来研究料层高度对烧结的影响。     

接通率与经济效益的关系

利用基本呼叫模型，从分析重复试呼入手，定量分析了接通率与经济效益的关系。