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锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。 相似文献
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日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段] 相似文献
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聚苯醚磺酸锂／共聚醚复合物的离子导电性研究 总被引：1，自引：0，他引：1
合成了３种不同磺化度的聚苯醚磺酸锂（ＳＰＰＯＬｉ）与Ｐ（ＭＥＯ１６－ＡＭ）／ＳＰＰＯＬｉ复合物。研究了复合物的离子导电性与磺化度，组成比及增塑剂含量的关系。含４０％（ｍａｓｓ）增塑剂的复合物具有单离子导电特征，锂离子迁移数高达０．９７，室温电导率达２×１０－５Ｓ／ｃｍ。 相似文献
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带有色观测噪声系统最优和自校正状态估计器黑龙江大学应用数学研究所邓自立，马灵洁基于ＡＲＭＡ新息模型，通过计算白噪声估值器和输出预报器，提出一种带有色观测噪声系统的新的最优和自校正状态估计器，可统一处理滤波、平滑和预报问题，可处理未知的非平稳有色观测噪... 相似文献
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