某单位园区局域网建设的分析

对某单位园区的网络设备进行升级改造,架构覆盖全单位的网络平台,采用成熟的主流技术--快速以太网技术和分层结构构建园区网,核心层选用具有三层交换的s2800模块化交换机,汇聚层和接入层分别选用DES-1016R和NEs-1016C交换机,较好地解决了实用性和先进性的平衡问题,实现了全单位联网.     

ICT支持的塔吊安全管理框架——回顾与展望

塔吊是建筑工程中使用频率最高的垂直运输工具.由于塔吊的运行风险较高,提高其安全管理水平成为业界亟待解决的问题.近年来,信息与通信技术(ICT)逐渐被应用于塔吊安全管理,但目前该领域的应用多为单点开发且智能化水平偏低,未能很好地满足现有的塔吊安全管理需求.通过查阅近十几年的塔吊安全管理领域的相关文献,将国内外学者对塔吊安...     

大跨度钢结构屋架几何形变测量的研究

本文以广州体育馆钢结构屋架几何形变测量工程为实例 ,提出了一套适宜大型钢屋架的几何形变测量方案。在施工工期紧、监测工作量大的情况下 ,经工程实践 ,证明了该方案作业简便 ,测量成果可靠 ,并完全满足监测精度高的要求。将对以后的相关工程有较大的参考价值。     

倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵

报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起,形成具备64×64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件,并对光探测器面阵的主要特性进行了测试,测试结果显示该面阵具有均匀的电特性,反向偏压均大于14V,暗电流约为10nA数量级。     

基于直流闭锁事故的华东电网频率特性及控制措施

随着区外直流馈入规模不断增加,华东受端电网频率稳定支撑特性逐渐下降。针对2016年华东电网两起实际直流闭锁事故,开展受端电网频率稳定特性仿真,通过调节全网发电机一次调频特性,再现特高压直流闭锁后系统频率响应过程。在此基础上,开展汛期低谷方式下华东最大单回及两回直流闭锁后频率稳定仿真。仿真结果表明,当前电网一次调频能力不足,直流闭锁后存在低频减载动作风险。针对上述问题,华东电网已经开展频率紧急协调控制系统建设工作,通过系统仿真进一步验证相关控制措施的有效性。相关研究方法和结论已应用于华东电网频率仿真分析和事故预案制订,以提高直流闭锁后的风险抵御能力。     

一种基于功率转移系数的交直流混联受端电网切负荷方案配置方法

针对交直流混联受端电网在直流发生闭锁故障后,会产生功率缺额,而潮流转移过程中可能造成交流通道过载,引发连锁故障的问题,提出了一种切负荷方案配置方法。通过分析直流系统及切负荷点与不同交流通道之间的功率转移系数,并综合考虑不同负荷的重要性对其进行修正,得到满足限制条件的优化切负荷方案。在浙江电网系统中进行了仿真验证,结果证明了所提方法的可行性和有效性。     

500MHz～3.5GHz高性能宽带双极化天线的研制

本文研制了一种500MHz～3.5GHz高性能宽带双极化四脊喇叭天线.首先采用化四脊喇叭天线为双脊喇叭天线的设计方法设计初步模型,然后利用HFSS对四脊喇叭天线的参数及结构进一步优化,提高了两个极化端口的驻波比性能:一方面对四脊波导各个参数对驻波比的影响进行分析,选出最优的参数组合:另一方面,结构上采用渐变结构、脊末端顶入导体杆、特制细探针馈电等设计.最终的测量结果显示,优化后的天线具备高性能:工作频带宽、方向图好,驻波比低,且两个极化端口的驻波比一致性好.     

GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.     

InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵结构特性与设计

讨论了谐振腔中的 DBR对 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED面阵光反射特性的影响 .采用 In Ga As/ Ga As作为多量子阱 SEED器件的有源区 ,从而获得了 980 nm工作波长 .设计和分析了 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构 .多量子阱材料是用 MOCVD系统生长 ,利用微区光反射谱、PL 谱以及 X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析 ,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量 ,证明了器件结构的设计和分析是准确的