β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质

用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4 和Ti4 的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.     

高温合金GH4169(Inconel 718)中磷晶界偏聚特性的实验研究

采用Auger电子能谱仪测量了镍基高温合金GH4169中磷(P)的晶界偏聚量.结果表明,经1020与1200 ℃固溶处理后在720 ℃时效2 h的样品,P的晶界偏聚浓度分别是0.344%与0.412%(原子分数).晶界偏聚浓度随固溶处理温度的升高而升高.基于这一实验结果,确定了P在该合金中的非平衡晶界偏聚特性.     

GH698合金中强化相的不均匀分布

对GH698合金棒材中强化相的不均匀分布对组织和性能的影响进行了研究,并分析了强化相不均匀分布的形成原因.研究表明强化相大γ'相的不均匀分布对合金的室温及750℃拉伸性能都有明显的影响.     

GH742Y合金真空自耗锭的偏析及均匀化处理

研究了GH742Y合金真空自耗锭中的偏析及钢锭均匀化处理工艺,通过φ180mm真空自耗锭冶炼及均匀化处理试验,探索了该合金真空自耗锭的枝晶偏析及其消除方法.     

GH1139合金长期组织稳定性的研究

对GH1139合金在300℃、500℃和600℃长期时效后的显微组织和力学性能进行了系统研究.结果表明GH1139合金在300℃、500℃和600℃分别进行100 h、500 h和1 000 h的长期时效处理后,其晶粒度基本不变;在300℃和500℃分别经100 h、500 h、1000 h的长期时效后,其硬度、室温拉伸性能和900℃的拉伸性能与长期时效前的性能相比基本不变,持久性能虽有些变化,但变化不大;在600℃经100 h、500 h、1 000 h的长期时效后,其硬度、室温拉伸性能和900℃的拉伸性能与长期时效前的性能相比基本不变,持久性能随时效时间的延长有所下降,但只是当时效时间超过500 h后,持久性能才下降比较多.持久性能变化的原因与晶界碳化物的变化有关.     

紧固件用GH698合金的力学性能

对于紧固件用国产GH698合金棒材,针对其应用的温度范围对之进行了各种力学性能的系统研究.研究结果表明国产GH698合金棒材的组织正常,从室温至750℃的各种性能良好,可用于发动机紧固件的制造.     

焦化工艺技术发展概述—配煤炼焦篇(一)

介绍了国内外配煤炼焦技术的发展和应用情况,并对国外前沿的炼焦新技术的开发情况作了介绍。     

基于免疫算法以负荷均衡为目标函数的配电网络重构方法

在分析配电网重构的数学模型和免疫算法原理的基础上,提出了一种应用于配电网络重构的免疫算法(ImmuneAlgorithm,IA)。将满足基于负荷均衡的目标函数和约束条件的优化问题对应于免疫算法的抗原,优化问题的解作为免疫算法的抗体,解的优劣则通过亲和力的计算来评价,具有最大亲和力的抗体就是问题的最优解,即网络中联络开关和分段开关的最佳状态。实例分析表明,该算法具有较快的收敛速度和较强的全局搜索能力,克服了传统遗传算法易陷于局部极小和收敛速度慢的缺点。     

基于稳定参数控制的改进遗传算法在配电网络规划中的应用

提出一种基于稳定参数控制的改进遗传算法.该算法不仅保持了种群多样性,而且通过突变算子引入了新的搜索空间,使算法更容易找到全局最优区域,缩短了传统遗传算法要跳出局部最优区域所消耗的迭代时间.将该算法应用于重庆某10kV辐射状配电网络规划,结果表明该算法在收敛性能和搜索能力上比其他遗传算法有较大提高,在全局寻优性能上也优于其它遗传算法.     

CsI(Tl)晶体发光均匀性的研究

本文对Tl分布、几何形状以及表面条件对大尺寸锥形CsI（Tl）晶体的闪烁发光均匀性的影响进行了研究,提出了改善大尺寸锥形CsI（Tl）晶体的发光均匀性的措施.