岔河集油田开发调整的主要做法与成效

岔河集油田有多个受构造、岩性双重因素控制的中低渗透复杂断块油藏,其主要储集层为河流相沉积。油田20余年的开发历程是典型的滚动勘探开发过程。通过精细科学的地质研究,不断的实践和认识,制定出与其油田地质特点相适应的开发方针,完善了井网部署与加密、产吸剖面调整、油水井配套综合治理等一系列开发对策,并取得了比较好的开发效果。岔河集油田的开发实践对于类似油田开发不乏成功的经验。     

试行“片管”效果好

河南省许昌市城管支队一大队对重点、难点管理路段尝试实行“片管”制度．及时、详细了解管理动态．使管理关口前移，不仅把握住了管理的主动权．而且得到管理对象和市民群众的一致认可，管理成效十分显．     

应用Matlab对柴油机示功图修正方法的研究

在Matlab环境下对试验测取的示功图进行了修正处理，包括消除通道效应、上止点修正及压力的标定，并根据修正前后的示功图计算了放热率，计算结果表明所用修正方法是合理的．     

薄膜晶体Si太阳电池的潜力

如果效率和成本这两个“目标”能够达到，薄膜晶体Si太阳电池有可能替代目前在光伏市场上占主导的多晶Si太阳电池。[第一段]     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]     

煤矿尘肺发病探讨

采用现状及回顾性调查，对190例矿工尘肺进行调查分析，探讨本局尘肺病发病现状、分布及发展规律。共对8892人次触尘工人进行了职业性体检，受检率94．8％，患病率495％，晚发率56．8％，尘肺结核合并率8．4％。主掘进工尘肺占68．4％，与其它工种比较有显著性差异（P＜0.01），主掘进工与其它工种尘肺平均实际接尘工龄、发病工龄有显著性差异（P＜0．01）。表明岩尘含SiO2高，导致主掘进工尘肺发病速度快及致纤维化强。就现状预测2000年尘肺发病数为350例．2010年将达1130例左右。