半导体激光束的成形变换

本文利用矩阵光学方法研究像用椭圆高斯光束的变换特性，推导出正确的半导体激光束的校正像散与旋转对称化变换公式。     

标准热电偶自动检定系统的研制

论述标准热电偶自动检定的主要技术问题,给出了一种采用先进控制技术和计算机技术的自动检定系统的设计方案和实施结果。     

新型编解码电路HT640／644L

新型编解码电路ＨＴ６４０／６４４Ｌ邢观锋随着电子技术的发展，编解码电路已被广泛地应用于工业及家用电子产品。本文介绍的ＨＴ６４０／６４４１．电路是较新型的编解码电路，具有以下特点：１．具有１４位地址编码，采用三志编码方式，即“１、“０”、“开路”’三种...     

伸缩式金属模板主要技术数据的确定及伸缩装置的改进

1984年以前,我单位在立井井筒施工中,一直用金属模板进行井筒井壁混凝土浇注,它不论在速度上还是从质量上都收到了满意的效果。我们施工河南密县超化矿主副井井筒,主井净径4.5m,断面15.9m~2,基岩段平均月成井47.2m,最高达67.5m,井筒优良品率达87.0％;副井净径6.0m,断面28.3m~2,基岩段平均月成井48.0m,最高达68.0m,井筒优良品率达100％。在全国1984年17对立井井筒施工竞赛中分别列为第七名和第二名,这是由于把有敞露伸缩装置的金属模板改为具有密封伸缩装置的金属模板(以下简称密封金属模板),进一步提高了金属模板的使用性能。1986～1987年,我们曾先后在河南密县王庄矿东风井、巩县铁生沟矿主副井井筒施工中使用密封金     

CO_2激光和He—Ne激光联合照射会阴侧切术切口的协同效应研究

报告采用 CO_2激光和 He—Ne 激光联合照射治疗会阴侧切术切口50例,临床避免了切口感染、裂开等并发症,且切口愈合时间显著缩短,并从协同学角度分析了切口在这两种激光同时照射下所产生的非线性合作效应。     

无线电通信干扰弹射击特点分析

文中根据无线电通信干扰弹的工作原理、技术性能和自身特点,分析了无线电通信干扰弹决定射击开始诸元的特点、确定参加射击兵力的特点、确定火力分配的特点和确定弹药消耗量的特点等射击特点。     

某发动机壳体烧穿故障分析及改进设计

采用故障树分析(FTA)的方法,针对某发动机壳体烧穿的各种影响因素进行了分析,通过流场仿真及地面模拟过载试验验证了分析结果,并根据分析结果进行了改进设计及试验验证。试验结果表明,改进措施有效,能够保证固体火箭发动机安全可靠工作。     

利用串行口实现计算机对PLC的实时监控

本文采用可视化软件VB的串行通信控件,通过计算机串行口实现了计算机与西门子S7-200系列PLC间的串行数据传输,进而由VB的Timer控件实现了计算机与PLC的实时通信,最终达到计算机对PLC所连接设备工作状态的实时监控。     

小视场高重频激光雷达光机系统设计、装调及性能测试

为了后期研制星载高重频激光雷达提供数据校正及仿真,设计研制了一套小视场高重频激光雷达验证系统。对该激光雷达进行详细的光机系统结构设计,利用Zemax软件模拟发射、接收与后继单元光路图。精确计算出出射光束发散角为0.106 mrad,设计新型的光束转向结构确保正入射到扩束器中。在0.4 mm小孔光阑下,接收单元视场角0.25 mrad,在系统焦平面上的小孔光阑偏心不得超过29 μm,选择高精度三维调整结构对小孔光阑精确定位。整机结构设计采用模块化设计方法,以方形框架为基准,不同单元模块安装在其不同位置,高度集成在尺寸为390 mm×390 mm×550 mm以内。对发射单元进行装校,并检测出发散角为0.11 mrad,与仿真结果相比,相对误差为4.1%;对接收与后继单元进行装校,采用平行光管出射的平行光正入射到接收望远镜,获得系统焦点精确位置,完成高精度的装校。通过对系统增益比进行标定实验,得到系统增益比为1.15,并对系统进行探测实验,探测结果:系统在夜晚气溶胶探测距离可达22 km,退偏振比可达10 km。在白天探测距离可达10 km,退偏振比可达6 km,并与太阳光度计比较,光学厚度相对误差为7.1%。整机性能满足设计要求,为后期做飞行实验打好基础。     

含氟三环NCS液晶材料的介电性能研究

为了探究液晶材料的介电性能,本文研究了4PPTGS和4PUTGS两种含氟三环NCS类液晶材料的介电各向异性和介电损耗。首先用精密LCR表(Agilent E4980A)测量液晶盒的电容并用双盒模型和液晶盒电容模型得到4PPTGS和4PUTGS两种液晶材料的平行和垂直介电常数,再由电压-电容特性曲线得到它们的阈值电压,并进一步探讨了介电各向异性和阈值电压对温度的依耐性;然后,在20 Hz~10kHz范围内研究了外加电压频率对液晶材料介电损耗的影响,两种液晶材料在1kHz左右都存在介电损耗峰值,为了减小器件的功耗和提升器件的质量,液晶材料应选择在介电损耗小的频率下工作;最后,通过对平行和垂直排列向列相盒中液晶材料在不同电压下介电损耗的测试与分析,介电损耗的变化是由于在外加电场下液晶分子固有偶极矩的取向极化引起的,介电损耗值的大小与液晶分子的排列状态密切相关。此项研究对提升液晶材料在应用中的介电性能具有一定的指导意义。