应用于FED Al/Ag/Al导电复合薄膜的研究

利用Ag的高温抗氧化能力,采用磁控溅射沉积Al/Ag/Al导电复合薄膜,并在480℃下进行热处理。扫描电子显微镜（SEM）和能谱分析（EDS）研究表明磁控溅射的Al/Ag/Al导电复合薄膜表面平整,热处理后表面Al膜生成致密的氧化层。溅射沉积和热处理过程中Ag和Al原子的相互扩散,最后形成富Ag的Ag-Al合金和Ag3Al化合物。Al/Ag/Al导电复合薄膜比Ag/Al复合薄膜的电阻率增大了一个数量级,导电复合薄膜热处理后导电性能更优,电阻率约为19.4×10-6Ω.cm。     

基于多通道能量极值点的两层粒子滤波跟踪

传统多通道跟踪常采用少数离散通道并认为通道间互不相关,忽略了多通道特征渐变的“多峰”型可信度分布.本文提出一种基于多通道能量极值点集的两层粒子滤波目标跟踪方法.首先将目标分解为多个频率、多个角度的通道,提取极值点集合作为目标特征.其后提出两层粒子滤波框架,以一级粒子作为目标运动状态整体性约束;二级粒子表征其下属的多通道...     

退火温度对AZO薄膜场发射性能的影响

以纯度为99.95%、Al2O3为2wt.%的ZnO-Al2O3金属氧化物为溅射靶材,采用射频(RF)磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究其场发射特性和导电性能,并分析了不同的退火温度对AZO薄膜的形貌、导电及场发射性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)对AZO薄膜表面形貌与结晶特性进行测试的结果表明,随着退火温度的升高,AZO薄膜的表面粗糙度随之增大,AZO薄膜的结晶度变好;场发射性能研究的结果表明,AZO薄膜的开启电场随着退火温度增加呈先减小后增大的趋势,当退火温度为300℃时,AZO薄膜样品粗糙度最大,场发射性能最好,开启场强为2.8V/μm,发光均匀性较好,亮度达到650cd/m2,导电性能最好,电阻率为5.42×10-4Ω·cm。     

体三维显示中像素均匀性优化的参数选取

针对LED旋转屏体三维显示中,体像素在水平方向呈现"外疏内密"的非均匀分布的问题,提出一种均匀性优化的改进方法。将预设的点阵模板加载于体像素分布图中,为每个模板点保留与它距离最近的体像素,使体像素的分布近似于点阵模板。优化中,以模板点和离它最近的体像素间的平均距离、最大距离衡量优化效果,结合系统对优化效果的要求以及二维截面数和LED列间距的限制关系来计算满足条件的截面数和列间距,最终选取LED用量最小的列间距及对应的截面数。     

HDMI视频接口技术在彩色FED中的应用

简单介绍了高清晰多媒体接口 HDMI的接口规范.着重论述了Si19023芯片内部功能结构、工作时序以及在FED平板显示器件视频驱动电路中的应用.提出了基于Si19023的硬件电路设计方案以及寄存器的设置.此电路方案已在63.5 cm彩色FED驱动系统中使用,为系统提供优质的数字视频源.显示分辨率最高支持UXGA.采用HDMI数字视频接口技术研制出了能驱动显示VGA分辨率的印刷型FED视频显示系统.该样机能显示各种彩色视频图像.图像亮度已达400 cd/m、对比度达1 010:1,电路厌度等级达256级.有效显示对角线尺寸为63.5 cm.     

AD9883在平板显示视频接口中的应用

结合平板显示器（FPD）视频显示的原理，介绍了平板显示器接口芯片AD9883的主要性能。重点论述了芯片功能结构、内部寄存器设置以及在平板显示视频接口中的应用。结合FPGA技术提出了一种接口电路方案，实现高分辨率视频图像的采集，为平板显示器件提供良好的数字视频源。利用AD9883高速、高精度的视频A／D转换功能，该方案支持显示分辨率最高为SXGA，可广泛应用于多种平板显示器件。     

印刷型FED显示器图像校正模块的设计

为了改善彩色场致发射显示器的显示质量,分析了印刷型FED显示器中存在的色彩偏移、灰度损失和灰度畸变等问题。通过实验测试和理论分析提出了相应的色彩调整与灰度的非线性校正解决方案。将图像校正模块应用到彩色FED驱动电路中,使彩色FED图像的色彩再现和灰度再现性能得到了较好的改善,同时也增强了图像显示的层次和细节程度。     

两步水热法制备枝干状ZnO纳米结构的研究

采用两步水热法,第1步利用Au作为催化剂生长ZnO纳米杆;第2步利用醋酸锌分解成ZnO纳米颗粒作籽晶层在ZnO纳米杆的侧壁生长ZnO纳米枝条,在Si片上成功制备了枝干状ZnO纳米结构。利用SEM、XRD分别表征枝干状ZnO纳米结构的形貌和晶体结构,研究籽晶层、反应液浓度、反应时间等参数对枝干状ZnO纳米结构形貌的影响。结果表明,Au作为催化剂生长的ZnO纳米杆具有沿(103)面择优取向生长的特性,而籽晶层对在侧壁生长ZnO纳米枝条至关重要。通过调节反应参数,可控制枝干状ZnO纳米结构的形貌,当反应液浓度越小,反应时间越长,纳米枝条越细、越长。所制备的枝干状ZnO纳米结构具有很好的生物兼容性,可作为细胞支架材料。     

中频磁控溅射AlN薄膜的电学性能研究

利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能,并对该介质薄膜的导通机制进行了分析.结果表明,所制备的薄膜呈非晶态,5 kw溅射功率下制备的薄膜具有较好的表面结构,并具有较高的耐击穿场强,约为2.1 MV/cm;结合理论分析发现,AlN在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制:低场强区服从欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主.     

基于改进Hough变换的印刷电路板定位配准

电路板自动光学检测中常通过检测电路板的边缘直线来确定其旋转角度和平移量从而完成定位配准,存在运算量大、精度不高的问题.对传统Hough变换检测直线方法进行改进,从图像金字塔、约束投票角度、约束搜索点的区域3个方面提高Hough变换的效率,并利用最小二乘拟合法提高检测精度.定位配准时,先运用改进的Hough变换求取电路板边缘直线的近似参数;然后在原图上对边缘直线进行拟合求取电路板的精确旋转角度和平移量,完成定位配准.实验表明本文方法能准确完成电路板的定位配准,对大小为1 920×1 080像素的电路板图像,定位时间约为60 ms,定位误差小于1个像素.