Fabrication and field emission characteristics of a novel planar-gate electron source with patterned carbon nanotubes for backlight units

This paper describes the fabrication of backlight units(BLUs) for a liquid crystal display(LCD) based on a novel planar-gate electron source with patterned carbon nanotubes(CNTs) formed by electrophoretic deposition. The electric field distributions and electron trajectories of this triode structure are simulated according to Ansys software.The device structure is optimized by supporting numerical simulation.The field emission results show that the emission current depends strongly on the cathode-gate gap and the gate voltage.Direct observation of the luminous images on a phosphor screen reveals that the electron beams undergo a noticeable expansion along the lateral direction with increasing gate voltage,which is in good agreement with the simulation results.The luminous efficiency and luminance of the fabricated device reaches 49.1 lm/W and 5500 cd/m2,respectively.All results indicate that the novel planar-gate electron source with patterned CNTs may lead to practical applications for an electron source based on a flat lamp for BLUs in LCD.     

基于强化学习的特征工程算法研究

特征工程可以自动地处理和生成那些判别性高的特征,而无需人为的操作.特征工程在机器学习中是不可避免的一环,也是至关重要的一环.提出一种基于强化学习(RL)的方法,将特征工程作为一个马尔可夫决策过程(MDP),在上限置信区间算法(UCT)的基础上提出一个近似的方法求解二分类数值数据的特征工程问题,来自动获得最佳的变换策略....     

高分辨率主动驱动型氮化镓基Micro-LED芯片的制备

本文设计并制备了一款分辨率为1 920×1 080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldisiloxane)提高光刻胶附着力,从根本上提高小尺寸台面刻蚀的一致性和完整性。此外,通过垫高N型电极解决了传统倒装芯片中P型电极和N型电极不等高的问题,有利于显示芯片与驱动芯片的键合。该芯片尺寸为17.78 mm(0.7 in),发光单元尺寸为6μm,像素周期为8μm,像素密度达到3 129 PPI。I-V测试数据表明,所制备的Micro-LED的开启电压仅为3.5 V。     

不同环境湿度对CuO纳米线生长及场发射性能的影响

首先在400℃的干燥空气(流量为500?sccm)及不同水汽流量(500、1500、3000、4000 sccm)等条件下分别热氧化铜片获得了系列垂直生长的氧化铜纳米线, 随后, 采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)研究了不同条件下所制备的氧化铜纳米线形貌、结构等性能, 并进一步研究了其场发射性能。研究结果表明: 水汽对氧化铜纳米线的密度及场发射性能影响较大, 在500 sccm空气流量条件下, 通入水汽(500 sccm)条件与未通入水汽条件生长得到的氧化铜纳米线相比, 其密度明显增大, 场发射性能提升, 其开启场强约为3.7 V/μm, 明显低于干燥空气中生长氧化铜纳米线的开启场强(6.5 V/μm); 此外, 制备得到的氧化铜纳米线的场发射性能随着通入水汽量增大出现先升高后降低的趋势, 并且, 在通入水汽流量为3000 sccm时, 获得最佳的氧化铜纳米线场发射性能, 其开启场强低至1.4 V/μm。     

ZnO纳米材料制备及其场发射性能的研究

采用水热法制备形貌和尺寸各异的纳米ZnO材料。用X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试产物结构和表面形貌,分析影响纳米ZnO材料生长的因素,探讨纳米ZnO的生长机理。研究了各种形貌ZnO阵列的场致发射特性。实验结果表明,在各种ZnO纳米结构中,纳米管的场致发射性能最好,其最大电流密度可达到0.2mA/cm2,开启场强2.5V/μm,为寻求良好场发射性能的ZnO纳米材料提供了一个可行的途径。     

衬底电极对丝网印刷CNT阴极场发射性能的影响

通过丝网印刷技术,将碳纳米管(carbon nanotube,CNT)浆料直接转移到CrCuCr薄膜衬底电极、掺Sn的In_2O_3(indium tin oxides,ITO)透明导电薄膜衬底电极和Ag浆导电厚膜衬底电极上,高温烧结后得到CNT阴极,并对CNT阴极进行表面形貌和场发射性能的研究.结果表明,不同衬底电极对CNT阴极场发射性能的影响不一样,CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极、ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极及Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极场发射的开启电场分别为0.99、2.05和2.46V/μm;当电场为3.0V/μm时,它们的亮度分别为2472、1889、587cd/m~2.CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极的场发射性能最优,ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极次之,Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极最差,并根据金属-半导体理论模型分析了原因.     

印刷型FED显示器图像校正模块的设计

为了改善彩色场致发射显示器的显示质量,分析了印刷型FED显示器中存在的色彩偏移、灰度损失和灰度畸变等问题。通过实验测试和理论分析提出了相应的色彩调整与灰度的非线性校正解决方案。将图像校正模块应用到彩色FED驱动电路中,使彩色FED图像的色彩再现和灰度再现性能得到了较好的改善,同时也增强了图像显示的层次和细节程度。     

阳极氧化法制备Ta2O5绝缘膜及性能研究

采用阳极氧化法在纯Ta表面制备绝缘性优良的Ta2O5介质膜,分析阳极氧化制备Ta2O5膜的基本机理,讨论不同电解液、阳极氧化电压及热处理等工艺参数对Ta2O5膜性能的影响.利用XRD、EDS和AFM分析薄膜的组织结构和表面形貌,超高阻微电流测试仪测试Ta2O5绝缘膜漏电流特性和耐击穿电压,结果表明,磷酸电解液中添加适当乙二醇溶液能有效地防止"晶化",阳极氧化电压在125～150V范围内制备Ta2O5绝缘膜耐击穿电压能力强,经350℃/60min大气气氛下热处理Ta2O5薄膜,内部结构致密,能有效提高Ta2O5绝缘膜耐击穿电压.     

强化深度特征融合的行人搜索系统

针对行人图像的深度特征缺乏对局部细节的描述，及不完全具备对尺度、旋转、平移及光照变化等各种因素的不变性而导致行人搜索准确率低的问题，本文提出一种具有强化深度特征融合的行人搜索系统。该系统将行人候选网络和行人识别网络两部分整合优化成统一框架。其中，行人候选网络实现行人框的获取及标定，而行人识别网络在获取深度学习特征的基础上融入具有几何不变性的传统特征，建立一个强化深度特征融合网络模型。实验结果表明，本文采用强化深度特征融合的网络模型，在SSM数据集上检测并框出图片中的行人，其Top-1识别正确率高达80.7%，比单纯采用深度特征模型更具优越性。     

新型可印刷FED场致发射显示器的研制

介绍了国内外平板显示器,特别是场致发射显示器(FED)的市场预测和主要研究单位以及FED显示器的基本制作工艺流程,包括阴极激活和真空镀膜技术,论述了阴极激活技术及其对提高FED阴极发射能力的作用.采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术与低逸出功材料结合增强发射场强的方法研制出能显示视频图像的20英寸(50.8 cm)单色FED显示器样机,其亮度已达300 cd/m2,对比度已达400.并讨论了FED显示器今后可能的发展方向.