纳米α-Fe2O3的原位生长及其场发射性能研究

采用空气热氧化法在铁基片上原位生长纳米α-Fe2O3,并通过扫描电镜、X射线衍射、场发射等对600℃下氧化不同时间所制得样品的形貌、结构、场发射性能进行表征和分析.研究表明,600℃下所得样品均为(110)和(300)取向的α-Fe2O3,而且氧化时间对纳米α-Fe2O3的形状、密度、长径比及场发射性能都有较大的影响.生长开始时,主要以α-Fe2O3纳米片状为主,随着氧化时间的增加,纳米线逐渐增多,长度变长.其中氧化4h所得样品的密度和长径比适中,场发射效果最好,其开启场强为2.3 V/μm,而且概念错误均匀性好.     

基于有限元优化压电式喷头结构研究

压电式喷墨打印作为非接触、高效率、高灵活性的数字化薄膜制备工艺,广泛应用于多种领域.针对高精度压电式喷头制作难度大、价格昂贵等问题.本文基于有限元分析建立了压电式喷头驱动模型,分析了正弦波振幅、PZT材料的厚度和石英毛细管道的厚度三个因素对压电式喷头径向位移的复合作用,并通过正交实验法确定了三因素对径向位移的影响主次顺...     

基于传声器阵列的改进的PHAT-GCC语音定位算法

通过对相位转换-广义互相关(PHAT-GCC)算法的基本原理进行深入研究,通过监控信噪比,信噪比加权,相干函数等手段提出一种改进的PHAT-GCC算法,以便实现在有噪声环境下进行准确定位。实验结果证明,该算法有效提高了其定位的准确度。     

不同转移法对碳纳米管场发射特性的影响

通过印刷法、喷涂法和电泳沉积法转移经过处理的碳纳米管(CNT)原料到ITO电极上,高温烧结制备CNT阴极阵列,并对CNT的表面形貌和场发射性能进行测试分析。结果表明,不同转移方法对CNT阴极场发射性能的影响不同,印刷法、喷涂法及电泳沉积法3种方法制备CNT阴极场发射的开启电场分别为2.21、1.62和1.85 V/μm;当电场为2.3 V/μm时,喷涂法制备的CNT阴极场发射性能最佳,电泳沉积法制备CNT阴极次之,印刷法制备的CNT阴极最差,并根据金属半导体理论分析其原因。     

新型可印刷FED场致发射显示器的研制

介绍了国内外平板显示器,特别是场致发射显示器(FED)的市场预测和主要研究单位以及FED显示器的基本制作工艺流程,包括阴极激活和真空镀膜技术,论述了阴极激活技术及其对提高FED阴极发射能力的作用.采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术与低逸出功材料结合增强发射场强的方法研制出能显示视频图像的20英寸(50.8 cm)单色FED显示器样机,其亮度已达300 cd/m2,对比度已达400.并讨论了FED显示器今后可能的发展方向.     

高频驱动GaN-LED的频率响应特性研究

高刷新率显示器对氮化镓基发光二极管(GaN-LED)驱动频率提出更高的要求，因此研究GaN-LED的频率响应特性具有重要意义。研究了方波交流电压驱动下GaN-LED发光强度的频率响应特性。结果表明，LED的发光强度波形与电压波形存在固定的迟滞时间(约27 ns),且该迟滞时间不随驱动频率改变。在所施加的交流驱动频率范围内(100 kHz～50 MHz),发光强度呈现四个不同的区域：即随着频率的升高，LED发光强度先保持稳定，随后下降，再次上升，最后衰减直至停止工作。文中阐述了形成四个区域的原因。该研究有望为基于LED的超高帧速率显示器件驱动设计提供依据。