同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅

x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。     

TD-SCDMA与WCDMA扰码规划比较

由于WCDMA和TD-SCDMA的扰码组成有着根本性的区别,本文对两个系统扰码规划考虑的主要因素进行了深入的研究。在对码资源分析的基础上,对比了WCDMA和TD-SCDMA规划特点的区别,得出了WCDMA和TD-SCDMA系统扰码规划应该遵循的不同原则。     

版图图形特征对铜电镀工艺的影响

铜电镀工艺后表面的不平整度通常取决于版图关键特征,包括线宽,线间距和金属密度。本文设计了一款测试芯片并在一家半导体厂加工制造。版图特征效应被真正的测试数据所检查和验证。通过分析金属蝶形、介质腐蚀、金属厚度和SEM照片,得出一些结论。线宽是决定表面形貌及产生铜金属蝶形和介质层腐蚀的最关键因素。经过铜电镀工艺发现,铜线越细铜生长的越厚,铜线越宽铜金属蝶形越大,发现了3种典型表面形貌。而且,通过测试数据,量化版图特征的影响并用曲率增强加速剂覆盖率的理论解释,这可以用于开发铜电镀工艺模型和开展可制造性设计研究。     

等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展

先进过程控制(APC)是一个多层次的控制系统,其包含了实时的设备及工艺控制和非实时的RtR控制.APC引入等离子体刻蚀过程控制可极大提高刻蚀机的使用效率.针对等离子体刻蚀过程,本文分别从实时控制和RtR控制两个不同层次展开了论述,概述了RtR控制器中所使用的线性回归模型和神经网络模型.最后,讨论了APC技术的发展趋势.     

基于重构系统的扩张状态观测器实现混沌系统的同步

利用n阶驱动系统的标量输出信号及其连续的n-1阶导数作为状态变量,得到一个具有Brunowsky规范形式的n阶重构系统.根据扩张观测器的思想,对此重构系统先构造扩张系统,然后设计扩张状态观测器,并将其作为响应系统.通过挖掘可测同步误差中所隐含的信息对扩张系统的各个状态进行估计,从而实现了系统的输出及其导数的同步.当满足一定条件,还可实现所有状态变量的同步.对系统、Duffing系统的仿真证明了该方法的有效性.     

光电经纬仪车载平台变形测量技术研究

采用一种高精度非接触测量系统对光电经纬仪车载平台变形进行实时测量,利用视频 判读技术对CCD视频信号进行接收和处理,采用图像采集和图像处理同时进行的工作方式,对图像进行实时处理和判读,得出动态脱靶量,进而计算出车载平台的变形量,这为进一步研究车载平台技术打下理论和实践基础。     

Parlay Gateway体系结构的多视点研究

基于“4 1”多视点模型描述了ParlayGateway体系结构的全貌。逻辑视点模型清晰地描述了ParlayGateway的概念模型,分析了该逻辑功能实体涉及的主要角色及其逻辑功能;将面向对象、构件化、低耦合的思想用于开发视点模型,展示了它的标准接口功能、协议适配功能等主要内容;在进程、物理视点模型中,描述了它的并发、冗余、安全、一致性等各种非功能属性,部署视图模型专门讨论网关和网络实体的连接问题;在场景视图中,将多个视点的研究有机地结合起来,全面展示了SCF注册、AS发现、Framework认证、第三方应用执行的整个过程。     

基于精简标准单元库的OPC复用技术

提出了一种对标准单元的光学邻近效应校正结果进行复用的方法,并通过将传统标准单元中的所有核心逻辑通过反相器和二选一多路选择器的组合来实现,得到了一套可制造性强的精简标准单元库,从而使OPC复用技术得以有效实施,并将在很大程度上提高芯片生产效率和降低掩模数据存储量.精简标准单元库中单元的电气仿真结果表明其在面积、速度、功耗方面与传统标准单元库相比性能损失很小.     

非制冷红外焦平面阵列进展

非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型、热释电型、热电堆型、二极管型、热-电容型非制冷IRFPA和应用光力学效应的非制冷IRFPA、基于法布里-珀罗微腔阵列的非制冷IRFPA。