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本论文主要介绍高压大电流VDMOS功率晶体管的研制。这次研制的VDMOSFET,设计耐压高达600V,导通电流达到8A,导通电阻为1Ω。设计中,按照要求,确定外延层浓度和厚度;芯片元胞结构参数,阱掺杂浓度;器件边缘保护环,场极板参数。在大量参阅国内外资料的基础上,我们提出新的芯片元胞设计方案,由此确定的垂直电流区宽度比以往方案缩小一个数量级,大大节约芯片面积,成功地实现了把大约二万人元胞集成在一块芯片上。同时,在器件边缘终端结保护环设计中提出新思路,提高了器件可靠性,并有效减少芯片面积。 相似文献
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在聚羧酸减水剂与木钠复合二元体系中,研究了木钠掺量对体系分散性及凝结时间的影响,结合XRD分析了木钠对水泥水化机理的影响。实验结果表明:在木钠与聚羧酸减水剂复配体系中,木钠对初始分散性的影响不大,但可以增加流动保持性;木钠具有较强的缓凝作用,随掺量的增加,凝结时间增加;木钠减水剂能有效抑制C3S、C3A的早期水化;当掺量为0.4%以下,对后期水化影响较小,而掺量达到0.6%时,抑制中后期C3S的水化。 相似文献
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目的 利用聚联乙炔的刺激响应性原理,制备一种新型时间温度指示剂.方法 将聚联乙炔脂质体溶液置于不同的水浴温度下,探究其热致变色特性;采用内源乳化法将联乙炔单体形成的脂质体包裹在海藻酸钙凝胶微球中.时间温度指示剂由0.25 g脂质体凝胶微球和0.5 g的不同质量分数(20%,30%,40%,50%)吐温20溶液组成,以b*值为颜色变化参数研究其显色动力学特性.结果 聚联乙炔脂质体溶液颜色转变温度为65℃;时间温度指示剂颜色变化参数与时间呈指数关系,吐温20溶液浓度越高,温度越高,其变色速率越快,并且变色终点与温度、吐温20溶液浓度有关.结论 该款新型时间温度指示剂有较高的温度敏感性,有应用于指示食品流通过程中温度历史的潜能. 相似文献
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超短激光脉冲可直接诱导透明材料的多光子吸收上转换荧光过程,它在红外探测、新型激光器、海底光学通信、高密度存储以及三维立体显示等前沿的国防和工业科技领域有着广泛的应用。上转换过程的研究目前主要集中在稀土离子和过渡金属离子能级跃迁的机制上,随着机制材料以及受激离子的不同,光子跃迁的机制也不完全相同,因此上转换机制始终伴随着新材料的出现而发展。介绍了上转换过程的种类,将多光子吸收上转换过程用依次吸收与同时吸收进行分类,给出了在实验研究中分辨上转换过程的方法,并讨论了多光子同时吸收的双光子与三光子过程的研究进展和应用,为今后研究不同光功能材料的多光子吸收过程和应用提供了理论依据。 相似文献
19.
阐述了在VB6.0环境中如何通过自定义函数实现对后台数据库中文件的读取和修改操作。文中的事例是一个独立的开发应用程序,如略作修改,可以用于任何有类似要求的开发系统中。 相似文献
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