面向企业应用的“算法设计与分析”课程建设改革探索

“算法设计与分析”是计算机科学与技术专业的一门核心课程,是一门理论性与实践性相结合的课程.学生在这门课程的学习过程中过分注重基础理论的学习,动手能力差,不具备算法创新的思想,无法适应世界著名的IT公司大对软件人才的要求.文章讨论了企业用户对员工算法分析与设计能力的需求,针对目前该课程教学中存在的问题,就教学目标、教学内容、教学方法及考核评价等方面进行教学改革,以提高学生的综合能力和教学质量.     

喷油器针阀偶件的耐久性和可靠性

本文应用实际装机试验和试验室精密测量相结合的方法测得工程机械柴油机喷油器针阀偶件的实际使用寿命，并对影响针阀偶件耐久性的可靠性的各种因素做了分析研究，在此基础上提出了提高国产针阀偶件质量和使用寿命的方法和措施。     

CAD中任意复杂装配图成图原理

本文介绍了ＣＡＤ中任意复杂装配图生成的技术关键。讨论了零部件的统一表示模式、零件的分类及处理策略，提出了一种新的轮廓识别算法，实现了以零件生成为前提、集合运算和轮廓识别为基本手段的装配算法，其中包括定位问题的处理，装配关系的提取，以及轮廓线、细实线、占划线、剖面线的综合处理方法。本方法作了为商品化软件ＰＬＡＧＥ的重要组成部分，已应用于工厂设计中。     

T型发射区单晶硅太阳电池的输出特性研究

利用TCAD半导体器件仿真软件对具有T型发射区结构的单晶硅太阳电池进行了仿真研究。全面系统地分析了在不同衬底少子寿命情况下,不同T型发射区深度对太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果表明:采用T型发射区结构可在一定程度上提高常规均匀发射区太阳电池的电学性能;T型发射区结构对700~1200nm长波段入射光的外量子效率具有明显的改善作用;当衬底少子寿命一定时,太阳电池短路电流密度、填充因子均随T型发射区深度的增大而增大,而开路电压随T型发射区深度的增大而减小;当T型发射区深度大于80μm时,对于低衬底少子寿命的单晶硅太阳电池,T型发射区结构对其转换效率的改善效果最为显著。     

直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究

本文对直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜的工艺作了具体分析，探讨了沉积温度、氧分压、Al含量和靶基距等对ZAO薄膜的电阻率、可见光区透射率的影响。     

基于SOA的校园遗产系统集成模型研究

为解决当前高校资源信息缺乏有效共享、应用缺乏有效集成、用户缺乏统一接口等问题,提出了一种面向服务体系架构的校园遗产系统集成模型及其对应的集成方案(CRPWare).CRPWare方案利用SOA框架可以有效地将高校资源和相关遗留系统平台软件集成起来,统一以Web门户方式进行交互,如各种资源的描述、注册、访问和发布等.通过与CDRBA和Web技术的集成模型比较,SOA体系架构可以解决高校各教学机构间资源和服务的异构问题,消除"信息孤岛".     

Web日志挖掘中一种事务识别方法的改进

从 web日志中发现有用的信息是所有 web站点管理者的迫切愿望 ,但 web服务器日志的不准确导致数据准备阶段的复杂性 .在数据挖掘以往的应用领域如 POS数据库中 ,存在着具有自然特征的事务 ,而在 web日志中不但没有这种事务 ,而且还不容易通过分析得到这种事务 .本文首先描述了引用长度事务分割方法的用户浏览行为模型 ,然后针对这种模型提出了两点改进 :增加了网络延时参数和对噪音数据处理的考虑 .改进后的模型能适应网络延时较大且随时间变化的情况 ,更能够反映用户的实际浏览行为     

星形CHB STATCOM启动冲击电流的抑制方法

软启动对星形级联H桥(CHB)STATCOM的正常运行至关重要。传统的CHBSTATCOM启动策略通过在不控整流过程中串联限流电阻来抑制浪涌电流。然而,由于不控整流后直流侧电容电压仍然较低,CHB STATCOM进入正常运行时会产生较大的浪涌电流。为了消除这种浪涌电流,提出一种新的CHB STATCOM启动控制方法,在不控整流阶段后引入可控升压阶段,继续串联限流电阻,进一步提高直流电容电压。在可控升压阶段中,建立了调制电压与直流电压的关系,在此基础上提出了一种直流电压的闭环控制方法。最后,搭建400 V/5 kVar CHB STATCOM样机,试验结果验证了所提启动控制策略的有效性。     

关于超辐射场相干性的建立过程

本文从光子分布函数来讨论Dicke超辐射场的相干性。由于存在量子起伏,在超辐射脉冲出射初始时刻,场是非相干的,随着辐射脉冲的建立,辐射场由非相干过渡到相干状态。讨论一个小尺寸(L?λ)二原子系统,场与原子的联合哈密顿与态矢为: