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The influence of electron irradiation on the switching speed in insulated gate bipolar transistors(IGBT) with different epitaxial layer thicknesses is discussed in detail.The experimental results prove that the fall time of IGBT increases when increasing the thickness of the epitaxial layer.However,there is no obvious difference between the ratios of the fall time after irradiation to those before irradiation for different epitaxial layer thicknesses.The increase in switching speed of the IGBT is accompanied by an increase in the forward drop,and a trade-off curve between forward voltage drop and fall time of IGBT is presented. 相似文献
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柴达木盆地英西地区渐新统下干柴沟组上段为“自生自储”型油气藏。利用X射线衍射全岩矿物含量分析、薄片鉴定、扫描电镜观察、二氧化碳吸附、氮气吸附/脱附、高压压汞、核磁共振、自发渗吸等实验手段,系统分析柴达木盆地英西地区渐新统下干柴沟组上段储层特征,精细表征了其微观孔隙结构特征。研究结果表明:(1)英西地区渐新统下干柴沟组上段储层为细粒沉积岩,其矿物成分主要为白云石和铁白云石等碳酸盐,含有长石、石英等陆源碎屑,伊蒙混层和伊利石等黏土矿物。(2)研究区储集岩整体较为致密,孔隙度为1.0%~14.5%,平均为4.0%,渗透率为0.011~6.146 mD,平均为0.125 mD,具有低孔特低渗特征。(3)研究区储集岩的孔隙类型以晶间孔、溶蚀孔、溶洞和裂缝为主,储层孔隙形态为平行狭缝型。(4)研究区微孔的质量体积平均为0.005 6 mL/g,占总孔的质量体积的34.70%;中孔的质量体积平均为0.006 6 mL/g,占总孔体积的40.84%,宏孔的质量体积相对较小,为0.003 9 mL/g,占总孔体积的24.46%,因此,对岩石储集性贡献最大的为中孔,其次是微孔。 相似文献
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薄片分析表明文昌A凹陷珠海组二、三段主要孔隙类型为次生孔隙。综合利用扫描电镜、阴极发光、同位素、典型矿物识别等对次生孔隙的形成机制进行研究。结果表明存在4种溶蚀成因机制。扇三角洲沉积背景下方解石沉淀和溶蚀残余钾长石指示早期淡水溶蚀作用。两期油气充注确定了有机酸的溶蚀时间。利用重晶石和金红石确定了酸性热液溶蚀成因,利用取样资料和铁白云石分布确定了无机CO2溶蚀的成因。并根据以上成因机制预测次生孔隙的分布,认为南大断裂带和6号断裂带次生孔隙带发育,是文昌A凹陷下步深层低渗储层勘探的重点区带。 相似文献
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由于"Silicon Limit"的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构.利用ISE-TCAD模拟器进行工艺器件模拟,模拟结果表明击穿电压最大有40%的提高,同时导通电阻也有明显的降低.采用高能注入形成超结VDMOS为减小VDMOS导通电阻提供了一种切实有效的方法. 相似文献