首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   67篇
  免费   0篇
  国内免费   12篇
电工技术   1篇
综合类   4篇
金属工艺   6篇
机械仪表   3篇
建筑科学   3篇
矿业工程   1篇
能源动力   2篇
轻工业   3篇
水利工程   1篇
石油天然气   2篇
无线电   33篇
一般工业技术   9篇
冶金工业   7篇
原子能技术   1篇
自动化技术   3篇
  2023年   3篇
  2022年   5篇
  2021年   1篇
  2020年   7篇
  2018年   5篇
  2017年   2篇
  2016年   1篇
  2015年   3篇
  2014年   5篇
  2013年   6篇
  2012年   4篇
  2011年   2篇
  2010年   2篇
  2008年   2篇
  2007年   10篇
  2006年   1篇
  2005年   6篇
  2004年   2篇
  2003年   7篇
  2000年   2篇
  1999年   2篇
  1997年   1篇
排序方式: 共有79条查询结果,搜索用时 0 毫秒
61.
高标准要求的企业,应先建立正规化、满足市场经济的计量检测体系,应采用国际标准化的管理模式,与国际惯例接轨,ISO10012“测量设备的质量保证要求”中全面的、深层次的对企业计量检测提出了要求,涵盖了ISO9000中的计量检测要素,代表了企业计量工作的...  相似文献   
62.
本文提出了一种新型的有线直播实时导视模式,并针对实现直播实时导视的基础性环节和实时用户相似度随机模拟的实现过程进行了试验。从学习算法、数据处理平台和底层硬件平台的相关技术应用情况,阐述了基于深度学习技术的实时用户相似度随机模拟,为进一步实现有线直播实时导视的完整流程打下基础。  相似文献   
63.
本文主要简述了云计算的基本概念,并结合了广电网络架构及各类业务部署特点,浅要分析了云计算系统在广电网络中的业务拓展。  相似文献   
64.
本文主要研究的对象是NFV以及广电网实施NFV的需求与挑战,最后展望下一阶段广电网络的发展方向。  相似文献   
65.
本文根据NGB接入网技术标准不统一、设备种类繁多的现状,从综合管理、提高运维效率、降低运维成本的角度出发,对NGB接入网综合网管系统进行研究,并介绍系统的使用情况。  相似文献   
66.
使用SiO_2介质膜实现InGaAsP量子阱混杂   总被引:1,自引:1,他引:0  
张靖  陆羽  王圩 《半导体学报》2003,24(8):785-788
报道了使用SiO2 介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验,得到2 0 0nm的最大带隙波长蓝移.另外,采用量子阱混杂制作了蓝移的FP腔激光器,其性能与未混杂的激光器相当  相似文献   
67.
随着三网融合国家战略的实施推进,广电运营商正在向全业务运营商转型[1],在发展增值业务方面探索更适合自身及客观环境的发展模式。同时,广电新媒体将向个性化互动性发展[2]。本文首先分析了传统的电信业务运营支撑系统(Business&Operation Support System,BOSS)[3]中"客户—用户—帐户模型(三户模型)",通过对三户模型在广电业务个性化功能扩展上的不足及其在广电业务运营支撑系统中的局限性的分析,提出了适合广电企业运营的新型三户模型,便于灵活扩展个性化功能,并探讨和论证各个要素的本质以及它们之间的关系。  相似文献   
68.
微腔有机发光二极管   总被引:3,自引:0,他引:3  
设计了由分布布拉格反射镜(DBR)和金属反射镜面形成的微腔结构。利用8-羟基喹啉铝(A1q3)作为电子传输层兼作发光层,TPD作为空穴传导层,了有机发光二极管(OLED)和微腔有机发光二极管(MOLED)。发现MOLED的光谱工比OLED的窄得多,而光密度则得到了增强,对腔长进行调节,MOLED光谱峰出现移动。实验结果与理论计算基本符合。  相似文献   
69.
近年来,有机半导体激光器已经成为一个新的研究热点。叙述了光泵浦有机半导体激光器的最新研究进展,对实现电泵浦( 电注入) 有机半导体激光器也进行了评述。  相似文献   
70.
用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号