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31.
具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构 总被引:1,自引:0,他引:1
针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对器件击穿电压和导通电阻的影响,结果表明文中所提出的新结构具有高的击穿电压、低的导通电阻以及较好的工艺容差等特性.此外,该结构与智能功率集成技术兼容. 相似文献
32.
A linearly graded-doping junction termination extension(LG-JTE) for 3.3-kV-class insulated gate bipolar transistors(IGBTs) was proposed and experimentally investigated.Unlike conventional multi-implantation utilizing more than one photolithography step,a single mask with injection window widths varied linearly away from the main junction to the edge was implemented in this proposed structure.Based on the simulation results,IGBTs with LG-JTE structures were successfully fabricated on the domestic process platform.The fabricated devices exhibited a 3.7 kV forward-blocking voltage,which is close to the theoretical value of an ideal parallel plane case. This is the first success in fabrication 3.3-kV-class IGBT in a domestic application. 相似文献
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36.
37.
基于Semi-SJ(super junction)结构,提出了SJ的比例可以从0~1渐变的PSJ(partial super junction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件模拟结果和实验结果相比较.讨论了BAL(bottom assist layer)部分穿通因素η、p型区深度归一化参数r、p型区深宽比A以及PSJ漂移区掺杂浓度是否统一对PSJ高压器件比导通电阻的影响.其理论结果和器件模拟结果相吻合,为设计与优化PSJ高压器件提供了理论依据.PSJ结构特别适于制造工艺水平不高、很难实现大的p型区深宽比的情况,为现有工艺实现高压低导通电阻器件提供了一种新的思路. 相似文献
38.
针对含有噪声图像放大中如何有效地保持边缘细节和抑制噪声问题,提出了结合具有保持边缘信息的双边滤波和克服传统插值算法在方块效应和细节退化等方面缺点的边缘方向插值的含噪图像放大方法。实验结果表明该方法能够获得高清晰边缘的去噪放大图像。 相似文献
39.
PSJ高压器件的优化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于Semi-SJ(super junction)结构,提出了SJ的比例可以从0~1渐变的PSJ(partial super junction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件模拟结果和实验结果相比较.讨论了BAL(bottom assist layer)部分穿通因素η、p型区深度归一化参数r、p型区深宽比A以及PSJ漂移区掺杂浓度是否统一对PSJ高压器件比导通电阻的影响.其理论结果和器件模拟结果相吻合,为设计与优化PSJ高压器件提供了理论依据.PSJ结构特别适于制造工艺水平不高、很难实现大的p型区深宽比的情况,为现有工艺实现高压低导通电阻器件提供了一种新的思路. 相似文献
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