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1.
本文主要研究了制备参数和退火对a-C:H膜的光学性质的影响.得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映a-C:H膜电子能带结构的物理参数.结果表明,吸收系数随着衬底温度、射频偏压增加而上升,随反应室压强的升高而下降;光学带隙随衬底温度、射频偏压增加而下降,随反应室任强的升高而变宽随着退火温度Ta的升高,氢含量减少,带尾变宽,带隙变窄. 相似文献
2.
立方氮化硼(cBN)是一种具有广泛应用价值的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,其优异性质可与金刚石相比拟或胜之.立方氮化硼的制备与性能研究是近二十年来材料领域关注的焦点之一.我们用热丝辅助ECR CVD方法制备了cBN薄膜,并初步探讨了热丝对cBN形成的作用.偏压并不是cBN形成的唯一主要条件,活性粒子也有非常关键的作用. 相似文献
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用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响.结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜,当反应压为0.7 Pa、衬底温度为170℃时,得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%;具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜,μτ乘积值约为10-5量级左右,比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级,同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103~104左右,其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性,是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料. 相似文献
8.
以Agilent34401A为核心器件设计了沉积物热导率测量仪,实现了对多通道高精度温度和实际加热功率的测量。Agilent34401A的6位半数字万用表分辨率为1/(1.2×106),接近通用ADC的24位分辨率,电阻测量的精度可以达到0.01Ω,完全满足该系统数据采集的精度要求,为保证测量精度,其远程控制采用RS-232接口和SCPI命令。利用VC6.0编程平台,实现控制指令的发送和温度曲线的显示。 相似文献
9.
为降低球团生产过程中湿返料的循环量,提高生球合格率,本文从改善生球质量、稳定生球粒度组成两方面入手,结合造球盘刮刀改型、返料碾磨和辊筛变频技术等改进措施,对链—回—环球团生产系统的提质增效展开研究。结果表明:造球盘固定刮刀改型能降低造球过程中湿返料循环量,生球合格率提高4.78%;低压辊磨改造可改善返料的成球性,促进生球合格率提高1.92%,膨润土单耗降低1.11 kg/t;辊筛变频技术的利用能提高生球的筛分效率,促进返球率降低6.27%,改善成品球抗压强度。 相似文献
10.
为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 13 相似文献