上海市机电设计研究院愿为我国铸造行业的发展多作贡献

上海机电院是国家核准的甲级工程设计研究单位,除了工程设计、产品设计、非标准设备设计,还承担建设项目前期的规划、项目建议书、可行性研究论证等咨询业务,以及建设过程中的设备制造成套承包等技术服务。     

反应溅射法制备掺硼的a—Si:H(B)薄膜的ESR研究

我们应用反应溅射法制备了掺硼的a-Si:H薄膜和a-SiB:H合金薄膜。掺硼浓度(Y_g=[B_2H_6]/([Ar]十[H_2]))由10~(-6)到10~(-2)变化。研究发现,ESR信号为g_1=2.0051和g_2=2.0096两部分的叠加,前者代表Si的悬挂键Si_3~0信号,后者是由于掺B而引起的自旋信号。随着Y_g的增大,g_2由2.0090变化到2.0096,其峰一峰宽度△H_(2??)由20.5G展宽到26.0G;而g_1值和其△H_(1??)没有明显的变化。Y_g增大,两种缺陷态密度都有所增大,但g_1信号代表的B致缺陷态密度增加较快。在重掺B(Y_g≥10~(-2))的情况下,材料的性质与上述行为截然不同,出现了合金效应     

非晶态半导体Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2中掺Mn的研究

本文对掺有重量比为0、0．1％,0．5％和1．0％Mn的Ge15Te81S2Sb2进行了X-射线衍射谱和ESR的测量,以及电导率与温度关系的测量。从X射线衍射曲线来看,既没有Ge15Te81S2Sb2晶态尖峰,又没有Mn或Mn的化合物的谱线出现。说明4种不同Mn含量的样品都是非晶态半导体。从ESR测量结果得出：没有掺Mn的Ge15Te81S2Sb2是没有ESR讯号的,ESR讯号强度随掺Mn量的增加而增大,是由于顺磁性Mn量增加的结果。观察到g因子=2．00的讯号是起因于相分离的Te-Mn群聚。掺Mn量从0．1-1．0％之间在Mn周围的相互作用有个极小值,掺在这个极小值上时的非晶态可能比较稳定。从电导率随温度变化的曲线得出：掺Mn能改变Ge15Te81S2Sb2的电导率。未掺Mn时的激活能Ea=0．434eV,在掺Mn量小于0．1％时,Ea变化不大,这可能是掺入的Mn用于补偿禁带中存在的局域态的能级。随后Ea随掺Mn量的增加而减小,这主要是Mn释放的空穴使D 增加,据2D°→D- D 的质量作用定律,故D-减小,使EF移动所致。但到达一定的掺杂量后(如0．5％Mn)Ea近似不变,如掺0．5％Mn和1．0％Mn的Ea都近于0．199eV。以后,电导率随掺杂量的增加,不再是由于激活能Ea的减小,而可能是掺入的Mn已和D饱和,故再增加Mn时,Ea不再改变,这时电导率的增加是由于指数前的系数也随掺Mn量的增加而增大的缘故。     

1997年度美国国家质量奖评审特点

１９９７年度美国国家质量奖评审特点陈光华美国国家质量奖——鲍德里奇创立于１９８７年，至今已有十个年头，虽然其间经历了经济盛衰的反复变更和科学技术的日益创新，但吸引力却依然如旧，无数经营者无不把获此殊荣当作毕生追求的梦想。这不仅由于该奖所具有权威性，还...     

非晶硅材料研究进展

介绍了非晶硅薄膜的结构特点和在光电应用方面具有的独特性能,给出了非晶硅器件和材料制备的研究现状。     

硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性

用热丝协助化学气相沉积法，用Ｂ２Ｏ３作掺杂剂，用丙酮作碳源，成功地合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜．本文报道了未掺杂和硼掺杂金刚石膜红外光谱的研究结果．实验结果表明：在０．３０８ｅＶ和０．３４１ｅＶ处产生的吸收是由于金刚石膜中硼原子的基态到第一、第二激发态的跃迁引起的．这个结果证实了硼原子在金刚石膜中以替位方式存在．