基于Delta RCS的RFID标签天线方向图测量方法

RFID标签天线方向图是RFID标签的一项重要性能指标。由于标签没有标准的接口进行馈电,很难采用传统的天线测量方法测量标签天线方向图。基于RFID标签的双站散射原理和雷达截面差值(ΔRCS)概念,提出了一种新的测试方法,可以对封装好的商业标签进行天线方向图测量。通过对一种商用超高频标签进行实测与仿真,证明两者的结果具有很好的一致性。     

新型IDDT测试的BIST测试生成器设计

内建自测试(BIST)是一种有效降低测试开销的技术,在瞬态电流测试中得到了应用。本文给出了一种新型的瞬态电流测试BIST测试生成器设计方案,该设计可以产生所需要的测试向量对,同时具有硬件开销小的优点。     

Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes

Studies on first GaN-based blue-violet laser diodes(LDs) in China mainland are reported.High quality GaN materials as well as GaN-based quantum wells laser structures are grown by metal-organic chemical vapor deposition method.The X-ray double-crystal diffraction rocking curve measurements show the fullwidth half maximum of 180″ and 185″ for (0002) symmetric reflection and (10-12) skew reflection,respectively.A room temperature mobility of 850cm2/(V·s) is obtained for a 3μm thick GaN film.Gain guided and ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated with cleaved facet mirrors at room temperature under pulse current injection.The lasing wavelength is 405.9nm.A threshold current density of 5kA/cm2 and an output light power over 100mW are obtained for ridge geometry waveguide laser diodes.     

一种低电压3阶4位前馈Σ-Δ调制器

介绍了一种应用于无线通信领域的低电压、带有前馈结构的3阶4位单环Σ-Δ调制器。为了降低Σ-Δ调制器的功耗,跨导放大器采用了带宽展宽技术。采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果显示,当工作电压为1.2 V、采样频率为64 MHz、过采样比为16、信号带宽为2 MHz时,电路的SNDR达81 dB,功耗仅为7.78 mW。     

基于TCAD的45 nm CMOS器件温度特性模拟

基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45 nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证。通过TCAD工具建立工具流,在300~400 K温度下,实现对45 nm CMOS器件I-V特性的模拟,以观察器件在一定温度范围内的特性曲线。通过与工艺文件对比表明,在25 ℃~127 ℃范围内,45 nm CMOS器件的电特性能够保持一定的稳定性。     

一种用于VCO供电的低噪声LDO

设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1 MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO。根据LDO基本结构对输出噪声进行详细分析;在带隙基准输出端构造一低通滤波器,有效移除了带隙基准对LDO输出噪声的影响;提出用二极管连接的MOS管代替LDO中的分压电阻,使得输出噪声得到进一步优化。电路采用IBM 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真,在10 kHz频率处,PSRR为－70 dB,输出噪声为21.01 nV·Hz-1/2;在1 MHz频率处,PSRR为－47 dB,输出噪声为6.187 nV·Hz-1/2;在10 MHz频率处,PSRR为－27 dB,输出噪声为6.244 nV·Hz-1/2。     

MEMS刻蚀工艺仿真模型及研究进展

随着计算机技术和微机电系统发展的需要,微加工刻蚀工艺的计算机模拟得到了飞速发展。综述了微加工刻蚀工艺的研究现状以及几种典型的工艺刻蚀仿真方法,分析了各种方法的优势和不足;重点介绍了在基于各向异性刻蚀方面应用广泛的元胞自动机法(CA),分析其优势所在,并阐述了CA模型的基本原理、发展变化和研究应用。     

一种带曲率补偿的高精度带隙基准源设计

基于OKI 0.5 μm BCD工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用Brokaw带隙基准核心结构,引入一个高阶效应的电流,对基准进行补偿。结合基准核心电路产生的无温度系数电压,利用简单的电路实现基准电流源的产生。仿真结果表明,在4.5 V供电电压下,-40 ℃~150 ℃温度范围内,基准电压的波动范围为1.1755~1.17625 V,温漂为3.9 ×10-6/℃,基准电流为3.635 μA,输出基准电流波动仅为2.2 nA,精度较高,低频时电路电源抑制比为-76 dB。     

一种输出端电压达到负电源电压的DAC缓冲运放

基于2 μm SOI CMOS工艺,设计了一种输出电压达负电源的运放,用作12位四通道D/A转换器的单位增益缓冲。分别在VDD=+5 V,VSS=0 V,VREFH=2.5 V,VREFL=0 V以及VDD=+15 V,VSS=-15 V,VREFH=10 V,VREFL=-10 V这两种条件下测试D/A转换器性能,该转换器的INL分别为-0.31 LSB和0.27 LSB。测试结果表明,该运放的性能满足D/A 转换器的要求。     

应用于DC/DC变换器的模拟伪三型补偿结构

介绍了一种采用模拟伪三型的补偿电路,该补偿电路可应用于DC/DC变换器中。通过在PWM比较器前把一个产生低频极点的全差分电路和一个产生低频零点的电路相加,得到两个低频零点和一个低频极点,进而得到快速的负载响应速度。在标准CMOS工艺下仿真了一个应用了伪三型补偿结构的DC/DC变换器,结果表明,在400 mA的负载电流阶跃时,负载调整率和线性调整率均小于2%。