基于配置文件的自动匹配光功率测试技术研究与实现

光功率计作为当前智能变电站光纤链路通信质量检查的主要测试设备,需要人工依据光纤连接图、表来匹配光口计算衰耗,效率低下、工作量大、出错率高,因此,提出一种全新测试光功率的方法,依据智能变电站SCD配置文件、IEC61850报文协议,自动匹配识别被测IED设备,自动匹配接收、发送光口,自动计算衰耗记录测试结果并生成测试报告。经现场验证,该方法可提高智能变电站光纤回路测试效率,实用性强。     

基于奖励因子的P2P博弈模型

通过分析现有的信任模型,以解决P2P网络信任问题为出发点,提出了基于奖励因子的P2P博弈模型,该模型对选择合作行为的节点进行奖励,并根据网络合作节点的占有率对奖励因子进行调整,以此激励单个节点的合作行为选择,促进网络更多节点进行合作,以获取更大的奖励,通过这一良性循环.仿真实验表明,奖励因子对于节点间的信任关系,以及整个网络的稳定性有明显的作用.     

气泡对液压系统的危害及防范措施

论述了气泡对液压系统的危害以及气泡混入液压系统的主要途径，介绍了在TD-1型多功能城市道路剁冰清雪机液压系统设计过程中防范气泡危害的具体措施。     

第六届中国（厦门）国际园林花卉博览会厦门展园方案设计

嘉园是厦门市参加第六届中国国际园林花卉博览会的展览花园,设计师结合基址地形特征,利用不同植物改善和美化环境,巧妙融合自然、人工两大要素,古为今用,将新的技术工艺与传统建筑结合,表现“新时代·新园林”的主题鲀营造富有现代气息的地方特色展园。     

激发爱国之情 抒发报国之志——武警云南消防总队隆重举行庆祝香港回归暨七.一表彰大会

6月28日下午,昆明消防指挥学校礼堂座无虚席,武警云南消防总队在这里隆重举行庆祝香港回归暨七·一表彰大会,展望祖国统一的美好前景,争当先进模范,喜迎洗雪中华民族百年耻辱这一伟大时刻的到来.15点30分,大会在庄严雄壮的中华人民共和国国歌声中隆     

人工神经网络模型在膨胀土等级判定中的应用

膨胀土胀缩等级的划分是一典型的不确定性问题。应用神经网络的联想记忆功能，以膨胀土胀缩等级划分标准中3个类别作为训练标本，建立膨胀土胀缩等级与分级指标之间对应关系的BP判定模型，为划分膨胀土胀缩等级提供了一条新途径。     

蛹拟青霉发酵金针菇菇柄过程中主要活性物质及抗氧化活性的动态变化

以金针菇废菇柄为研究材料,利用蛹拟青霉为发酵菌种,对金针菇废菇柄进行了双向固体发酵。研究了金针菇菇柄发酵菌质多糖、虫草素、虫草酸、蛋白质、氨基酸等活性物质和发酵菌质总还原力和对自由基的清除能力随发酵时间的变化。试验结果表明,发酵菌质中活性物质出现了峰谷变化,在发酵中期随着时间的增加物质含量逐渐增加,与对照组相比,主要成分和抗氧化能力均有大幅度增加,两者具有显著差异。各种活性物质达到最大的发酵时间略有不同,蛹拟青霉发酵金针菇菌质多糖、虫草素、虫草酸含量在发酵28 d时达到最高,分别为:717.68 mg/g、90.9μg/g和25.6 mg/g,分别是对照组的1.92倍、90.9倍和2.34倍;蛋白质和氨基酸含量分别在21 d和24 d达到最高,分别为396.6 mg/g和230.88 mg/g,分别是对照组的2.39倍和4.52倍。发酵菌质的总还原力在21 d^28 d达到最高,且基本稳定。金针菇菇柄发酵菌质的清除DPPH自由基能力在28 d最高,达到72.37%,比未发酵菌质清除DPPH自由基的能力提高了59.5%。     

离子束注入选育富锗蛹虫草菌株

蛹虫草具有抗衰老、抗癌抑癌等功效,而有机锗具有抗病毒、抗炎、抗癌等药用功效.为了提高蛹虫草对培养基中GeO2的富集能力,采用离子束注入蛹虫草,选育出富锗能力强的10号菌株,在不同氧化锗浓度下,其生物量比原始菌株高,总体来说,低浓度锗促进生长,高浓度锗有一定抑制作用;锗浓度为200mg/L时,茵丝体内的锗含量达1201.063ug/g,比诱变前增加61.25%;此时锗的富集率达5.298%,比诱变前增加44.56%;确定培养基内添加GeO2浓度为200~300mg/L.     

智能多粒度光交叉连接节点的设计与实现

提出了一种新型多粒度光交叉连接(MG-OXC)的体系结构,它可以完成光纤、波带、波长的交换,以及不同粒度业务的上下话路.同时介绍了由三个真实多粒度光交叉连接节点与若干虚拟光节点所组成的智能多粒度光网络试验平台的设计与实现.实验平台支持动态的可配置的网络拓扑、自动的邻居发现、受限的波长、波带路由,以及光层快速的保护与恢复.     

钛酸锶钡薄膜C-V曲线不对称现象研究

采用射频（RF）磁控溅射在Pt／Ti／SiO2／Si（100）衬底上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜。通过研究BST薄膜的电容-偏压（C-V）特性曲线发现,溅射过程中的离子注入引起底电极／铁电薄膜界面处产生了过渡层,从而导致C-V曲线不对称。最后我们通过改进溅射工艺对这一机理进行了实验验证。