InSb的带间双光子吸收的实验观察

InSb双光子带间吸收,特别是双光子带间磁光吸收,无论从应用InSb材料于高强度红外光学或者是从对InSb能带结构的了解上看都是一个很有兴趣而又尚未完全解决的问题。我们用观测双光子吸收产生的光电导的方法观察了InSb对CO_2激光的双光子吸收。曾在室温、液氮、液氦下观察没有外加磁场时的双光子吸收以及在液氦温度下观察了双光子磁光吸收。     

稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的巨法拉第效应

在７０－３００Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ为０．０１，０．００３和０．０６的稀磁半导体Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系．首次用多振子模型拟合实验结果，获得了布里渊区Γ点的激子能量Ｅθ和Ｌ点的能隙Ｅ１随组分ｘ的变化规律和Ｅ０的温度关系．讨论了Ｆｅ＋＋离子内部能级间跃迁对实验结果的影响．     

Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究

在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍，且谱线变窄．从二次离子质谱（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ－ＳＩＭＳ）和卢瑟福背散射实验给出退火前后Ｅｒ在ＧａＡｓ：Ｅｒ样品中的剖面分布．ＳＩＭＳ测量分别给出Ｏ注入前后Ｅｒ和Ｏ在ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ中的深度剖面分布，分析表明Ｅｒ和Ｏ共注入后形成光学激活有效的发光中心．     

硅中氧的高空间分辨本领红外光谱

用高空间分辨本领的富利埃变换红外光谱研究了CZ法生长硅薄片中氧的沉淀.用此技术我们能探测到单个沉淀物的聚集所贡献的1230cm~(-1)处的吸收带.实验发现在1100℃退火80分钟就足以形成薄层盘形的SiO_2沉淀物.获得的样品中沉淀物的空间分布图表明这些沉淀物的分布是不均匀的,主要分别分布在离后表面和外延衬底界面约100μm距离内.     

高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱研究

报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃迁结构 ,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应 ,对子能级结构进行了计算 ,除x =0 8样品的 33H能量计算值与实验值有较大偏差外 ,实验结果与理论符合得很好 .还与光致发光谱实验结果进行了比较 .     

Mn+离子注入GaAs的铁磁性质和结构

报道Mn+离子注入(001)GaAs后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的性质和结构特性.磁化强度测量结果显示室温下具有铁磁性.用透射电子显微镜、X射线能谱和电子衍射分析表明除形成MnGa晶粒外,还有含少量Ga的MnAs晶粒.原子力显微镜和磁力显微镜的结果表明在750-900℃下退火形成的铁磁颗粒以单畴为主.     

窄禁带半导体Pb_(1-x)Sn_xTe的带间磁光光谱及其能带参数的研究

用选支连续CO_2激光器为光源,首次对x=0.2 组分的n型Pb_(1-x)Sn_xTe 单晶进行了法拉第构象下圆偏振光的磁光反射光谱的测量.样品温度在10—50K范围内,磁光反射谱的振荡峰值对应L_1~6价带到L_3~(6＇)导带朗道能级间的跃迁. 采用k·p微扰理论模型,用上述峰位,经过拟合计算得到了该模型下此x值处能带边有效质量、g因子、各向异性因子、能隙等参数.结果发现,远带对有效质量贡献较大,特别是对纵向有效质量的贡献可达到30％,并带来一定程度的导带、价带不对称.相比之下,远带对g因子则影响很小.x=0.2时各向异性因子为10的量级,并随能隙而变化,远带作用使它有所降低.     

掺硼多晶硅的远红外光谱

用傅里叶变换光谱仪在15K和230～620cm~(-1)范围内研究了不同含Fe量的P型掺B多晶硅的远红外吸收光谱.观测和分析了Si中受主(B)基态到P_(3/2)价带相关的激发态系列的跃迁.实验结果表明,随着Fe浓度的增加,B受主激发谱的吸收强度显著减弱.证明Fe-B对的形成和Fe杂质在晶粒边界的可能的积累.实验还观测到P型Si(B)中不同含Fe量时607cm~(-1)处C局域振动模的吸收变化,讨论了Fe杂质对C振动吸收的影响.     

用连续调谐CO_2激光器研究InSb自由载流子法拉第旋转

在室温、液氮和液氦温度下,首次用连续调谐的CO_2激光器研究了n-InSb自由载流子法拉第旋转.对于载流子浓度为3.26 ×10~(16)cm~(-3)的样品,测得电子的有效质量:m~*(10K)=0.0172m,m~*(77K)=0.0177m.m~*(296K)= 0.0192m.精确测量表明:当波长λ<9.5μm时,带间法拉第旋转的影响就越来越明显.     

Cd_（1－x）Mn_xTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁

在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１、０．２、０．３、０．４、０．４５、０．５、０．６、０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律．用单振子模型拟合实验结果，给出了激子能量随组分和温度的变化规律．本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响．