Mn~+离子注入GaAs的铁磁性质和结构

报道 Mn+ 离子注入 ( 0 0 1 ) Ga As后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的性质和结构特性 .磁化强度测量结果显示室温下具有铁磁性 .用透射电子显微镜、X射线能谱和电子衍射分析表明除形成 Mn Ga晶粒外 ,还有含少量 Ga的 Mn As晶粒 .原子力显微镜和磁力显微镜的结果表明在 750— 90 0℃下退火形成的铁磁颗粒以单畴为主     

Cd_（1－x）Mn_xTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁

在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１、０．２、０．３、０．４、０．４５、０．５、０．６、０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律．用单振子模型拟合实验结果，给出了激子能量随组分和温度的变化规律．本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响．     

GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As短周期超晶格中M)1型鞍点跃迁(英文)

We have studied electronic properties of a high, quality superlatice composed of 31A GaAs and 31A Al03Ga07As layers. Four peaks have been resolved in the photoreflectance spectrum, which correspond to the heavy-hole and light-hole to conduction electron transitions at the miniband center and the miniband edge. The miniband width determined from the experimental data is found to be in good agreement with the theoretical prediction based on the envelope function approximation. As a result of the spectral form analysis, an unambiguous identification of the M1 saddle point transition is achieved.     

InSb中自旋反转受激喇曼散射效应

InSb中电子的自旋反转喇曼散射是获得红外波段连续可调谐激光以及研究InSb能带结构的一种手段。我们在～7K下,观察了以TEACO_2激光器为入射泵浦光、在n型InSb样品上产生的自旋反转受激喇曼散射光的输出。所用的TEACO_2激光器用光栅选支,可选出46条振动线。本实验用9.6微米(1042cm~(-1))波长的输出。输出脉冲能量～0.5焦耳,脉冲宽度～200毫微秒,前沿～50毫微秒。用能量计和光子牵引检测器检测。样品尺寸4×4×8毫米的n-InSb,浓度～1.1×10~(16)厘米~(-3),所用磁场为我系自制超     

半磁半导体Cd_(1-x)Fe_xTe的光学和磁性质的研究

用透射光谱法报道和讨论了组份x=0.03和x=0.06的Cd_(1-x)Fe_xTe单晶样品的光吸收,同时用提拉法在温度1.5～30K、磁场强度直到7T范围内测量了磁化强度与组份、温度和磁场强度的变化规律。结果表明,随着x组份的增加,Cd_(1-x)Fe_xTe的能隙移向长波(低能)方向。根据分子场理论,采用类布里渊函数,对磁化强度实验结果进行了拟合和分析。在本文的x值范围内,理论与实验符合得很好,证实了铁离子间存在反铁磁的交换耦合。     

基于产形齿条端面齿廓的相交轴渐开线变厚斜齿轮建模

根据渐开线齿廓变厚斜齿轮的齿形特征,以斜齿产形齿条为假想加工刀具,建立其端面齿廓参数方程;基于空间啮合原理,推导产形齿条与渐开线齿廓变厚斜齿轮的啮合方程及齿面方程;利用Imageware和UG三维建模软件建立渐开线变厚斜齿轮的实体模型。从产形齿条端面齿廓方程入手推导啮合关系使变厚齿轮的建模思路更为清晰直观,为该类齿形较为特殊的齿轮模型建立提供了新的思路。     

Ⅱ—Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格光学性质的研究

在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算,并讨论了导带偏移Ｑｃ和平均晶格常数的取值对计算结果的影响,还研究了ｘ值对轻、重空穴激子能级位置的影响．在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子（６阶）,还观测到垒中和阱垒间光学声子的组合模     

Mn／Sb多层膜的磁性和磁光特性

用超高真空蒸发技术在GaAs(100)和玻璃衬底上生长不同厚度Mn／Sb多层膜，并经短时间热退火(～1，20min)．磁化强度测量显示具有很强的室温铁磁特性．当多层膜厚度从700l增至1600A时，饱和强度增加了近一倍，极向和纵向克尔角也增加了，但不到一倍．这表明磁化强度和克尔角两者均依赖于多层摸的厚度，但不是简单的正比于厚度的关系．增加Mn／Sb多层膜的厚度能增强饱和磁化强度和极向和纵向克尔饱和角．X射线衍射谱图结果表明高质量单晶结构的Mn／Sb多层膜能用超高真空蒸发技术生长，对较厚的多层薄膜，热退火的时间可很短(约1min)．