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采用三步工艺进行了GaAs基InSb的异质外延生长并结合实验数据和文献资料研究了生长温度和速率、InSb层的厚度、低温缓冲层质量和双In源工艺对材料Hall电学性能等的影响。发现温度和生长速率对室温载流子迁移率和本征载流子浓度影响不太大;晶体XRD FWHM随膜厚的增加而逐渐地减小;低温缓冲层的界面质量和厚度对表面形貌具有一定的影响,低温缓冲层的界面厚度不应小于30 nm,ALE低温缓冲层的方法可以降低局部表面粗糙度;实验发现在优化的工艺参数基础上采用双In源生长工艺可以生长出电学性能不发生反常的理想本征InSb异质外延薄膜材料。获得2μm厚GaAs基InSb层在300 K和77 K的Hall迁移率分别为3.6546×104 cm^2 V^-1 s^-1和7.9453×104 cm^2 V^-1 s^-1,本征载流子迁移率和电子浓度随温度的变化符合理论公式的预期。 相似文献
42.
三维(3D)测量方法较二维(2D)测量能更全面地反映零件真实形貌的几何形状信息, 其参数统计特性好, 具有稳键性。提出了基于数字图像处理技术的测量零件表面粗糙度的三维测量方法, 并构建了表面粗糙度三维测量系统。对从数码相机所采集的图像进行了中值滤波、灰度平衡、直方图变换增强等处理, 并计算了平磨加工的五种不同粗糙度等级试验样块的三维参量, 对其均值m, 方差σ, 表面均方根偏差Sq, 陡峭度Sku和轮廓算术平均偏差Ra相关性进行了讨论。试验表明, 平磨加工样块的三维参数m, σ, Sq随Ra值的增大而增大, 而参数Sku与Ra无明显相关性。 相似文献
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实用化的光束质量测量系统 总被引:5,自引:0,他引:5
文中报道了一个基于CCD和计算机的HSH-I型光束参数及衍射极限倍数因子M^2测量系统,对测量方法、软硬件组成和来源进行了讨论,并给出了实际测量的结果。 相似文献
49.
用20毫瓦氦氖器作为激发光源,研究了若丹明6G水溶液反斯托克斯荧光谱。反斯长克斯荧光强度随溶液温度有强烈依赖关系。当温度由23℃升高到43℃时,反斯托克斯荧光强度增加三倍。根据热平衡分布规律讨论了反斯托克斯荧光强度与温度的依赖关系。 相似文献
50.